[参考译文] TPS793-Q1：用于稳定性分析的 TPS793-Q1 SPICE 模型

尊敬的 Aishwarya：

遗憾的是、我们目前没有适用于 TPS79318DBVRQ1 的 SPICE 模型、该模型支持稳定性分析。  

此致、

Alex Davis

您好 Alex、  

感谢您的答复

您能建议我们如何检查  该 LDO 器件的稳定性分析（闭环稳定性）吗？

谢谢

尊敬的 Aishwarya：

在这种情况下、我们通常建议 使用评估模块执行非侵入式稳定性测量。  

此致、

Alex Davis

您好 Alex、

如果可能、您能否将 非侵入式稳定性测量结果与您针对此器件的评估模块分享？ (TPS79318DBVRQ1（固定电压 IC）)

此致、

Aishwarya

尊敬的 Aishwarya：

我们可以测试它：是否测试了特定的输出电容或负载条件？  

此致、

Alex Davis

您好 Alex、  

请查找我们的测试条件。

您能否 对下面的进行无创稳定性测量？

部件号：TPS79318
VIN = 3.3V
VOUT = 1.8V
将 LOAD CURRENT = Min 45mA 更改为 Worstcase Current 200mA
输出电容：
2.2uF (CAP 2.2uF 10% 6.3V X7R 0603)- 1 个计数

100nF（陶瓷电容器 100nF 10% 50V X7R 0402） - 1 个计数

测量完成后、请尽快告知我

此致、

Aishwarya

尊敬的 Aishwarya：

我的目标是在下周获取这些数据、并在时间安排更清晰时进行更新。  

此致、

Alex Davis

您好 Alex、

您能否 根据测试条件的要求更新无创稳定性测量？

此致、

Aishwarya

尊敬的 Aishwarya：

我将需要几天时间来完成此操作。  

此致、

Alex Davis

您好 Alex、

能否请您分享目标日期、以便我们相应地规划时间表。

此致、

Jeffrin

尊敬的 Jeffrin：

我的目标是本周结束

您好 Alex、

感谢结果。

您能解释一下旧芯片和新芯片及其区别吗？

另外、能否分享测试报告以便我们查看结果？

谢谢！

您好、Davis、

感谢您的解释。

我在旧芯片和新芯片上做了一些数据分析、发现新芯片的性能比旧芯片更高。

在结果中、 旧芯片的主要差异小于 10deg、而不是预期的相位裕度（预期 PM：>45deg）

旧芯片：

45mA：PM：8.8 度

200mA：PM：5.2 度

您能共享测试图像以进行验证吗？ 是否有任何理由在旧芯片上降低相位裕度。

请提供您的反馈。

提前感谢！

 您能提供关于设置的反馈吗

1.旁路引脚是开路还是连接到电容器？

尊敬的 Jeffrin：

现代陶瓷电容器的 ESR 非常低、因此旧芯片的相位裕度很可能较低。 鉴于 10mΩ 或更高的 ESR、许多传统器件都得到了补偿、这在旧的陶瓷电容器技术以及钽电容器和电解电容器中很常见。 当使用 ESR 在 1mΩ 的–5mΩ 范围内的现代陶瓷电容器时、它们通常会表现出较低的相位裕度。  

为了在旧芯片上进行测试、旁路引脚按照数据表中的建议连接到 10nF 电容器。 新芯片没有与 BYPASS 引脚的内部连接、因此在测试中未使用旁路电容器。  

此致、

Alex Davis

您好 Alex、

您能否请在旁路引脚开路的情况下测试旧芯片（不连接电容器）。

在我们的设计中、

引脚输入 — 3.3V Vin

引脚 EN - 3.3V

引脚输出 — 1.8V

引脚旁路 — NC

部件号：TPS79318
VIN = 3.3V
VOUT = 1.8V
将 LOAD CURRENT = Min 45mA 更改为 Worstcase Current 200mA
输出电容：
2.2uF（电容 2.2uF 10% 6.3V X7R 0603）- 1 个计数 ( 10V X7R 2.2uF （根据元件可用性而定）-正常）

100nF（陶瓷电容器 100nF 10% 50V X7R 0402） - 1 个计数   

请分享测试图像结果、设置图像和目标日期。

请尽快继续、我们即将完成有关这一结果的时间表。

谢谢！

您好 Alex、

您能否让我联系各自的人来进行此次模拟。 因为我们已经接近时间表了。

您能否将其分配给您的同事、以便我们能够得出结论。

请在您缺席时提供支持。

谢谢