Other Parts Discussed in Thread: TPS25762-Q1
器件型号： TPS25762-Q1
我正在尝试启动基于 TPS25762-Q1 构建的定制电路板。
我更换了第 4 个 IC、因为 SW 线路变为短接至 VIN。
我没有示波器跟踪、但我的问题似乎与此问题非常相似：
这个话题现在已经锁定了、所以我就他的结果与 Scott 联系、他告诉我他的问题没有任何解决方案。
我的电路板大部分都是从 EVM 复制粘贴的、但在 BOM 上略有不同： 
我的缓冲器是由 2 个 0805 2.2 Ω 电阻器构建的。
我的启动电容器为 50V 100nF
我使用 Ke Wang 在此处提供的配置：
https://eu.mouser.com/ProductDetail/Wurth-Elektronik/7448990047?qs=f9yNj16SXrKAtQLn3f0yqQ%3D%3D
任何帮助都会被深深的赞赏！
尊敬的 Wang：
这是第一个 IC 死在我的板上:
这是第二个：
很抱歉图像聚焦错、但我测量了 IN 和 SW1 引脚：
第三个看起来是从我的零件仓逃出来的。
这是第四个死在板上的一个:
拆卸后：
拆卸后的 IC：
4.我认为这不是芯片问题,因为它发生在每个芯片上,我们从来没有听说过类似的故障报告。
请参阅以下内容：
我与 Scott 交谈时、他说他从未得到这个问题的答案、他也从未设法解决他的设计问题。
如果您声称器件很短、您正在以正确的方向进行测量、而不是检查体二极管、您是否还能仔细检查？ 从你的照片似乎你从两个方向检查.
故障器件在两个方向上都会短路。
一个潜在的测试计划是:小心地焊接一个新的除冰,并检查在哪一步后它损坏。 会立即启动？ 会立即发生什么？ 等待一段时间？ 记录波形也很重要。
由于 Scott 的主题中提到了缓冲器电路器件、我意识到 SW1 缓冲器既未安装在 EVM 上、也未安装在参考设计上、我焊接了新器件并移除了 SW 缓冲器。 我的器件在尝试启用 VBUS 后立即短路（或者至少在我尝试启用输出之前不存在问题）、现在移除缓冲器后、器件能够承受 VBUS 上电尝试。
但是、未生成合适的 VBUS 电压、它会持续尝试将电压斜升至~330mV、然后电压崩溃。 VBUS 线路上没有外部负载。
我在此期间测量了 LDO、它们看起来都正常： 
然后、我用示波器测量 SW1 SW2 波形（我不想连接 Saleae 输入、因为它们的额定电压为+–10 伏）。
一旦我尝试测量 SW1、器件就会短路、这次在 VIN 和 GND 之间。 我尚未移除 IC、但对于热像仪、我可以看到 IC 正在耗散输入电流。
D 版本是否对 SPM 驱动程序有任何改进？
通过将我的设计与 EVM 和参考板进行比较、我发现了两个主要差异：
我将一对 CHF 盖放在另一侧（由于空间限制）：
与内部 GND 层的 GND 连接较差、连接到顶层的过孔远少于参考设计和 EVM 的过孔。
我的图层顺序也可能不是最佳的：
上部内层有一个 GND 填充、但它由 VBUS 连接切片： 
下部内部层是专用 GND 平面：
将 GND 平面移动到顶层（更靠近 IC） 可以）可以做任何改进？
1.您引用的 E2E 主题并不能证明它是一个设备问题。
我没有说这是一个设备问题。 我刚才强调说、Scott 的故障与我的情况非常相似。
3.如果选择了正确的值、sw1 上的缓冲电路不会引起问题。
您能帮我选择最佳值吗？
我在 SW2 上有两个 0805 2.2 Ω 并联和一个 50V 3.3nF X7R 电容器、在 SW1 上有 1nF。
该参考设计两侧均为 3.3nF、SW1 上为 2.2 Ω、SW2 上为 1 Ω 
而 EVM 在 SW2 上的 SW1 3n3 上有 1nF、两侧都有 1.1 Ω：
数据表建议分别将 1.1 Ω 和 1-3.3nF 连接到 SW1-SW2。
4. 请问您说“ 我的 VBUS 线路上没有外部负载“时、是如何启用 Vbus 的？
这是我连接到输出的内容（两条 CC 线路上均为 5K1 下拉电阻、VBUS 上无负载）： 
5. 我认为 D 版本在 SPMS 驱动程序方面没有任何改进。
是否有理由购买 D 器件（Mouser 希望产品有货）？
6.我觉得把接地平面移到上层 不是您问题的关键解决方案?
我不是这个领域的专家（我是一个数字人）。 我只是通过检查 EVM/参考板与我的设计之间的差异来找出设计中可能导致器件故障的原因。
