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[参考译文] LM74900-Q1:输出负电压

Guru**** 2618835 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS1HB08-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1581999/lm74900-q1-output-negative-voltage

器件型号: LM74900-Q1
Thread 中讨论的其他器件: TPS1HB08-Q1

您好、  

是否可以在 IC 的 GND 路径上放置一个二极管来保护其免受低于–1V 的输出负电压的影响? 在我的应用中、我不能在输出端放置可以解决问题的反向并联二极管。

谢谢  

Henry

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    您好 Henry:

    它可能会有所帮助、请进行评估并继续。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    我尝试过,但它不起作用。 理想二极管 MOSFET 上的栅极电压不稳定、控制 MOSFET 的栅极根本没有导通。 很抱歉、我不了解如何附加示波器屏幕截图。 但是、如果有可能使用 Spice for TI、那会非常有用。 不幸的是,我问了几次,但根本没有答复。

    此致

    Henry

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    您好 Henry:

    我们没有适用于该器件且无法在 PSpice for TI 中运行的模型、由此给您带来的不便、我们深表歉意。

    工作时、DGATE 在空载时具有噪声。 这是由内部线性稳压器引起的。

    当 OV/HGATE 故障被清除时、UV 应开启。

    您的系统中的故障状态是什么? 您能检查一下控制器的 FLTB 引脚吗?

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    非常感谢您的答复!

    FAULT 引脚为高电平、不存在 UV 和 OV 条件。 可能芯片损坏。

    我尝试了另一个、HGATE 现在正常工作。 我将测试它是否可以在负电压下工作、稍后会回复您。

    谢谢、

    此致

    Henry

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    尊敬的 Shiven:

    我执行了一项无损测试、使用可编程串联电阻(初始值高于 100kΩ) 将)将输出连接到负电源(–16V)。 使能引脚为低电平、因此输出应保持关闭状态、并且没有电流流向负载。 测试结果不是肯定的:流向负载的电流(我想它流经内部 MOSFET 驱动器)随着负载电阻器值的降低而增加。 当负载电流高于 40mA 时、HGATE 引脚开始生成脉冲来导通 MOSFET、这些脉冲的重复频率随着电流的增大而增加。 进一步增加、这将导致 MOSFET 因散热而发生故障。

    此致

    Henry

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    您好 Henry:

    OUT 不具有负电压额定值、因此可能会造成损坏。 请避免。

    对于负瞬态、可以选择添加肖特基二极管。

    但直流负电压是不行的。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    是的、我知道、但在我的应用中、我不能在输出端放置二极管来阻止负电压。 我想我需要转向另一个 IC 或解决方案。 我想知道 TPS1HB08-Q1 等高边开关能否满足我的需求。 你怎么看?

    谢谢。

    此致

    Henry

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    您好 Henry:

    我不是高侧开关的专家、您可能需要为其提出单独的螺纹、专家会为您提供帮助。

    您还可以查看 TPS4800(我也不是专家)

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    是的、我会做的! 非常感谢您的支持!

    此致

    Henry