Other Parts Discussed in Thread: TPS1HB08-Q1
器件型号: LM74900-Q1
Thread 中讨论的其他器件: TPS1HB08-Q1
您好、
是否可以在 IC 的 GND 路径上放置一个二极管来保护其免受低于–1V 的输出负电压的影响? 在我的应用中、我不能在输出端放置可以解决问题的反向并联二极管。
谢谢
Henry
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器件型号: LM74900-Q1
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您好、
是否可以在 IC 的 GND 路径上放置一个二极管来保护其免受低于–1V 的输出负电压的影响? 在我的应用中、我不能在输出端放置可以解决问题的反向并联二极管。
谢谢
Henry
尊敬的 Shiven:
我执行了一项无损测试、使用可编程串联电阻(初始值高于 100kΩ) 将)将输出连接到负电源(–16V)。 使能引脚为低电平、因此输出应保持关闭状态、并且没有电流流向负载。 测试结果不是肯定的:流向负载的电流(我想它流经内部 MOSFET 驱动器)随着负载电阻器值的降低而增加。 当负载电流高于 40mA 时、HGATE 引脚开始生成脉冲来导通 MOSFET、这些脉冲的重复频率随着电流的增大而增加。 进一步增加、这将导致 MOSFET 因散热而发生故障。
此致
Henry