This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS4800-Q1:申请原理图审阅–TPS4800-Q1 保护电路设计

Guru**** 2618835 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS4800-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1583983/tps4800-q1-request-for-schematic-review-tps4800-q1-protection-circuit-design

器件型号: TPS4800-Q1

我们需要 TI 的支持来审查所附的文档 TPS4800-Q1 原理图 。 请查找 设计目标 审核要求 下面供您参考。

设计目标:
我们将为使用 TPS4800-Q1 过压、欠压和反极性保护
电源电压是 12V 或 24V 瞬间停止。
器件的最大负载电流为 600mA 都是如此。

请查看原理图并分享您的反馈或建议。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Stanley、  

    1. 在 Vs 引脚处添加用于电压瞬态的 RC 滤波器。  
    2. 如何计划在 INP 悬空的情况下导通 FET? 应将其连接到 MCU 或通过电阻器连接到电池线路
    3. 考虑使用与 CTMR 并联的 100k Ω RTMR 占位符来实现闭锁。  
    4. 考虑 SENSE 引脚上的 RC 滤波器占位符、以防止干扰性跳闸=由噪声引起。  
    5. 在输出端添加 TVS 二极管、以实现电感负载关断或线束反冲
    6. 使用小电阻器(2 Ω 至 10 Ω)组装 R86 和 R87、以减少线路电感引起的振荡。  

    在数据表的 8.3 电源相关建议部分可以探索其中的许多建议。  

    还请考虑使用我们的在线 TPS1200 计算器来帮助选择元件(该计算器也可用于 TPS4800)和我们用于 FET 选型的 FET SOA 计算器。  

    谢谢、  

    Sarah

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sarah:

    感谢您的答复。 我会查看您的所有反馈。 关于 INP 引脚悬空情况、请查看下面的注释。

    根据系统运行情况、我们无法向 INP 引脚提供 MCU 控制、因此我们唯一的选择是使用电阻分压器。
    但是、系统设计为使用 12V 或 24V 电池运行、我们需要在这两种情况下使用相同的电阻分压器。
    请参阅下图中的 INP 引脚注释。 如果 INP 引脚在电源电压为 24V 时收到 4.2V 电压、是否可以接受?



      

    根据下面提供的数据表中的证据、我已将 INP 引脚悬空。




  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Stanley、  

    是的、后者合适、4.2V 也不是问题。 INP 引脚的最大额定电压为 45V。 最好增加数值、以便在 12V 时 通过 INP 高阈值、并且 wiggle room 大于 2.2V(阈值为 2V)。

    建议使用该电阻器来帮助阻断电池反向中的电流、并且通常使引脚与主要的瞬态电压隔离。  

    您突出显示的 DS 部分表明可以让 INP 悬空、因为存在内部下拉电阻、但这可以保证 FET SRC 始终被下拉、因此栅极驱动器不会导通 FET。  

    谢谢、  

    Sarah

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sarah:

    谢谢。 希望您从我的第一次请求中得到了我的以下查询。

    审核要求:

    由于  空间受限  和  低功耗要求 、我们决定使用  双 N 沟道 MOSFET  (器件型号:SQJQ910EL-T1_GE3) 

    Stanley >>上述有关 MOSFET 的查询仍处于打开状态。 请确认。

    此外、因为有  无辅助电源  或  外部 MCU 控制  器件  INP 引脚 我们已经离开了  INP 引脚悬空
    Stanle>>上述有关 INP 引脚的查询已得到解决、 谢谢。