[参考译文] LMG3100R017：LMG3100 开关损耗近似

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： LMG3100R017

数据表指定：

使用可以计算一阶的开关损耗、可以将 VIN 除以 25V/ns 来估算 TTR 的近似值、这是开关节点压摆率的保守估计值。

公式 5：
P_SW = VIN×IOUT×TTR×fSW + VIN×VIN×COSS (ER)×fSW
其中
•TTR 是指从开到关以及从关到开的开关节点切换时间之和
•Coss (ER) 是每个 GaN FET 的输出电容

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Vincent：

我来查看有关 TTR 的详细信息、作为简化开关损耗计算的近似值。我将在内部与团队核实此变量的基础、并尽快回复您。

谢谢、

Subhransu

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Vincent：

这是一个近似值、是实际值的近似估计值、可通过更简单的公式对 PSW 进行近似估算。 TTR 是开关节点电压的上升时间和下降时间之和。对于 25V/ns 的压摆率条件、近似值为 VIN 乘以 25V/ns。

谢谢、

Subhransu

0 admin 3 个月前

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你好 Subhransu、

感谢您查看、感谢您的答复。但我仍然不清楚 25V/ns 作为上升和下降时间“总和“的基础。

我想了解一下、我们计算出的 PSW 对于我们的热仿真结果至关重要、这会影响我们的风扇和散热器设计。
因此、我想使用更接近我们现实的 TTR 值。

TTR 近似值是否与下面的这个压摆率图存在某种关系？如果是、那么 25V/ns 是如何从它派生出来的？
如果没有、请说明 25V/ns 的基础。

再次感谢您的支持、期待您的答复！

此致、
Vincent

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Vincent：

因为热设计对于您的情况似乎至关重要。我建议您使用 PLECS 模型、该模型使用更详细的损耗数字并对封装器件的热阻抗进行建模。我会通过电子邮件将其共享给您。

谢谢、

Subhransu

电源管理（参考译文帖）(Read Only)