Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, LMG2100R026, LMG2100R044
器件型号： LMG5200
主题中讨论的其他器件： LMG2100R026、 LMG2100R044
大家好、E2E 专家：
你好。
我是一名教职员工、正在寻求购买具有集成驱动程序的 GaNFETS、用于 1 MHz 及以上开关频率的演示和学生驱动型学术项目。 我发现此 LMG5200 80V、10A GaN 半桥功率级、其中多 MHz 同步降压转换器属于可能的应用之一。
我的问题是
(i) 这个 FET 是否有一个积分体二极管？ 如果没有、如何解决续流方面的问题呢？
(ii) 在上升时间为 50ns 且下降时间为 50ns 的情况下、如何实现 10MHz（100ns 开关周期）？
此致、
公务员制度委员会
您好：
感谢您展示对具有集成式驱动器的 GaN FET 的兴趣。
让我回答您的问题：
(i) 该 FET 是否具有积分体二极管？ 如果没有、那么如何解决续流方面的问题？
与使用固有体二极管的传统硅 MOSFET 不同、GaN 器件通过其高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构的固有对称性来实现这一点、从而以类似于二极管但由栅极电压控制的方式实现反向电流传导。 您可以参阅下面的应用手册来详细了解这一点。
应用手册： GaN 中的第三象限导通
[引用 userid=“480323" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1589212/lmg5200-inquiries “](ii) 在上升时间最大为 50ns 且下降时间为 50ns 的情况下、如何实现 10MHz（100ns 开关周期）？ [/报价]数据表引用了最大压摆率为 50V/ns。
同样、这是由设计保证的、未经生产测试。 独立驱动器支持 10MHz 开关（数据表中提到）、这反映了内部栅极驱动器的设计能力。 但是、整个功率级实际上无法以该频率运行。
在“Multi MHz Switching“下、器件会遇到以下问题
由于这些实际限制、集成式 GaN FET 功率级无法在 10MHz 附近的任何位置保持高效、可靠的运行、即使驱动器本身能够以这些速度切换也是如此。
因此、TI 不按生产规范要求运行 10MHz、而建议在典型的验证范围内运行（通常小于 2MHz，具体取决于应用和负载）。
您肯定可以查看我们的其他 100V 以下已发布器件 LMG2100R026 和 LMG2100R044、这些器件可从 TI.com 获取、您肯定可以查看它们并选择您所需的理想器件。
谢谢。此致、
Adithya
