Other Parts Discussed in Thread: BQ76952
器件型号： BQ76952
工具/软件：
我使用 BQ76952 已有半年的时间。 在此期间、我也发现一些问题尚未完全解决。 因此、我发布此帖子是为了寻求专家的帮助来解决这些问题：
架构说明：MCU 控制 BQ76952 的工作状态、并从外部传输数据或通过 RS485 更新 MCU 的程序。
问题 1：
问题说明：程序已通过 RS485 烧录到 MCU 中。 在 MCU 初始化期间、发现 AFE 的均衡电路已完全烧毁。
初步分析：通过测量烧毁的 PCB 板、可以发现、例如、VC1 的电压通常为 3.3V 左右、但 VC1 的实际电压为 B+电压。 同样、VC2/VC3 的电压也与此类似。 这会导致均衡电路中滤波电阻器的功耗较大、从而导致进一步燃烧。
所需帮助：原则上、我们对 MCU 的老化不会影响 AFE。 但是、我们已经损坏了 3 块电路板、目前无法确定原因。 我们需要专家提供指导并提出可能的原因？
问题 2：16 节电池组的应用场景、
问题说明：当电池电芯电压为 2V、总电压约为 32V 时、向 P+和 P-施加 60V 的充电电压、在充电电压和总电芯电压之间人为产生超过 20V 的电压差、发现充电 MOS 晶体管已烧毁；
初步分析：经过多次重新测试后、MOS 晶体管损坏的原因是当电压差大于 20V 时、充电 MOS 将具有大约 4V 的驱动电压、导致 MOS 晶体管处于轻微传导状态。 因此、MOS 晶体管的损耗将非常大、MOS 晶体管将损坏；
需要帮助的事情：我可以问、当充电电压高于电池电芯总电压的 20V 时、为什么充电 MOS 晶体管具有驱动电压？ 这是什么原因？我们应该如何解决？
两个月来、这两个问题一直困扰着我们。 我们确实需要专家的解释和解决方案。
非常感谢。
