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器件型号: BQ25622E
当电池电压低于 IC 寄存器中设置的 VSYSMIN 值时、充电电流为标称值。 一旦 VBAT 升至 VSYSMIN 以上、充电电流看起来会下降约 50mA。 这与 VSYSMIN 设置的值无关。
这是预期的、是否有一些设置可以补偿这种影响?
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器件型号: BQ25622E
当电池电压低于 IC 寄存器中设置的 VSYSMIN 值时、充电电流为标称值。 一旦 VBAT 升至 VSYSMIN 以上、充电电流看起来会下降约 50mA。 这与 VSYSMIN 设置的值无关。
这是预期的、是否有一些设置可以补偿这种影响?