[参考译文] UCC21750：为什么 SiC 隔离式栅极驱动器都是电压型驱动器

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： UCC21750
主题中讨论的其他器件： UCC23514

尊敬的团队：

客户会问一个好问题：为什么具有 DESAT 功能（还包括 APWM、STO 功能）的 SiC 隔离式栅极驱动器都是电压型驱动器？不是电流型驱动器？根本原因是什么？您能在这里帮助提供您的专业见解吗？谢谢。

BRS、

Francis

0 admin 4 个月前

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尊敬的 Francis：

电流源栅极驱动器的优势是有限的。在开关期间真正重要的是栅极电荷以及 dV/dt 和 di/dt 行为、而普通电压驱动器已经为您提供所需的栅极电流。电流源只会增加额外的成本、功率损耗和复杂性。理论上有一些小的好处,但不足以让任何人实际使用它们。

此致、

Muiz.

0 admin 4 个月前

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尊敬的 Muiz：

感谢您的答复。

想进一步了解电流源结构位于低压侧、它如何影响栅极电荷以及 dV/dt 和 di/dt 行为？

例如 UCC23514、高压侧还使用电压源、对吧？我们想知道为什么未来的隔离式栅极驱动器全都改为电压源结构、而不是 UCC2351x 系列、使用电流源结构。提前感谢。

BRS、

Francis

0 admin 4 个月前

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尊敬的 Francis：

即使低压侧在内部使用电流源、驱动 SiC MOSFET 栅极的级仍会像电压源一样。栅极是容性负载、因此开关行为由施加的栅极电压和外部栅极网络决定。未来的隔离式栅极驱动器全都改为电压源结构的原因是、与电压源相比、电流源栅极驱动器的优势有限。

此致、

Muiz.

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