[参考译文] TPS61178：过流波形捕获

尊敬的 GAO：

今天我将进行本次测试、感谢您的耐心等待。

此致、

Fergus

尊敬的 GAO：

请参阅以下输出短路波形。

VOUT_P 是 P-MOS 之前的电压。

此致、

Fergus

您好、Fergus：

关于红框、我注意到 SW 占空比正在缩小。 这是因为 IC 已进入“逐脉冲“电流限制状态吗？ 另外、对于逐渐电流斜升测试（而不是短路）、我应该在哪里放置光标来准确地捕获 OCP 触发点？ 我是否应该关注 VOUT 开始下降时的$I_L$峰值？ 谢谢

BR、GAO

尊敬的 GAO：

随着输出下降、占空比不断增加。

在两种情况下会触发保护：

电流达到 20A、输出降至正常值的 30%。

您可以选择其中一个作为光标来捕获 OCP 点。

此致、

Fergus

您好、Fergus：

我注意到、标记在 30%输出的电流似乎不合理、与 R LIMIT 设置不一致。 我的实验室发现测得的 OCP 与 RLIMIT 理论值之间存在显著差异。 我怀疑我们没有捕捉到正确的点。 如果我们根据这个 30%的输出点进行判断、则测试将导致失败。  或者、您能建议如何执行此测试吗？ 谢谢

B/R、GAO

尊敬的 GAO：  

短路保护电流限制通常为 20A、与 RLIM 设置无关。

无论满足哪一个条件、都会触发保护。

在 我的测试波形中、当输出降至正常值的 30%（约 5V，有一些变化）时、P-MOS 会关断。

我认为可以触发 30%的输出点。

我不清楚您的意思是“测试结果失败“。

在您的波形中、器件似乎没有关断、因为它没有停止开关。

您的 OCP 是否指电流限制？

结果表明、峰值电流限制为 12A、这可能是 Rlimit 的某种变化。

此致、

Fergus

您好、Fergus：

很抱歉误解。 我的目标是确认如何准确测量 RLIMIT 定义的 ILIMIT｝$阈值。 我们的实验需要检查硬件实现是否与原理图匹配。 因此、我需要知道如何正确捕获过流跳闸点、而不是短路事件。

BR/GAO

尊敬的 GAO：

感谢您的解释。  

我们缓慢增加负载、直到输出电压降至典型值的 90%、以确保触发电流限制。

那么测得的峰值电流就是 ILIMIT。

您的波形可以 进行 ILMIT 测试。  

根据 您的波形、该值约为 12.5A。

该值似乎比设定值高得多、您是否将其视为失败？

原因是电流比较器中存在斜率补偿。

当占空比降低时、这会导致电流限制增加。

此致、

Fergus

您好、Fergus：

您能否帮助将  I_｛LIMIT 设置 为 14A (VIN=5V/VIN=11.3V VOUT) 并提供我们的目标的参考波形？ 我们想以此为指导进行测量。 谢谢你

B/R、GAO

您好、

不建议在电流限制大于 10A 的情况下使用器件、器件可能会损坏。

我将其设置为 10A、如果需要、看看电压条件下的电流是否达到 14A。

此致、

Fergus

您好、Fergus

我认为这是一个很好的建议。 我们使用 10A 作为参考模板。 谢谢你

B/R、

Gao

尊敬的 GAO：

我已经设置了 Rlim 与 75k。

请查看电流限制的波形。

测得的峰值电流为 9.87A。 遗憾的是、该值远于 14A。

我认为您可以类似地测量电流限制。

此致、

Fergus