[参考译文] CSD19538Q3A：栅极平坦电压

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1607422/csd19538q3a-gate-plateau-voltage

器件型号： CSD19538Q3A
主题中讨论的其他器件： CSD18543Q3A、 CSD19537Q3

您好、请告诉我 CSD19538Q3A 的平台电压

4 个月前

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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此外、您能否分享任何逻辑 MOSFET 器件型号以满足以下要求

VDS - 60V

ID-15A

栅极驱动 — 3.3V/5V 逻辑

N 沟道 FET

100%符合 RoHS 标准、无需任何豁免（引线含量小于 0.1%）。

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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你好 Pranjali、

感谢您关注 TI FET。 TI 未在数据表中指定平坦电压、也未在生产中进行测试。我拉出了产品开发期间收集的表征数据、平均平坦电压约为 4.9V。根据您的要求、我推荐使用采用 3.3mm x 3.3mm SON 封装的 CSD18543Q3A 60V N 沟道 MOSFET。符合 RoHS 标准、无需任何豁免、使用银环氧树脂芯片贴装代替引线焊料。它与 5V 栅极驱动器兼容、因为 RDS (on) 在 VGS = 4.5V 条件下的额定和测试条件。它与 3.3V 栅极驱动器不兼容。我们在 60V 或更高电压的 FET 中、没有一个具有低于 VGS = 4.5V 的额定 RDS (ON)。我们所有 80V 和 100V 器件的最小 VGS ≥6V。许多 TI FET 和竞争对手在内部使用引线焊料进行芯片连接。该行业尚未找到可靠的替代方案。因此、这些器件具有 RoHS 豁免。如果您有任何问题、请告诉我。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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谢谢 John、

您能否查看并确认 CSD18543Q3A 的栅极平坦电压

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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另外、请检查并确认 85°C 处的 Rdson 值

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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尊敬的 Pranjali：

再次感谢您关注 TI FET。 CSD18543Q3A 表征数据的平均平坦电压为 3.6V。您可以使用数据表第 1 页的栅极电荷图估算平坦电压。您还可以使用数据表图 8 中的归一化导通状态电阻曲线来估算特定温度下的 RDS (ON)。当 Vgs = 4.5V 时、标准化因数约为 1.2、典型 RDS (on)= 1.2 x 12.0mΩ= 14.4mΩ、最大 RDS (on)= 1.2 x 15.6mΩ= 18.72mΩ。当 Vgs = 10V 时、归一化因数约为 1.35、典型 Rds (on)= 1.35 x 8.1mΩ= 10.94mΩ、最大 Rds (on)= 1.35 x 9.9mΩ= 13.372mΩ。 TI 仅规范、测试和保证 25°C 的 RDS (ON)。

谢谢、

John

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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John、大家好、因为我们计划使用 CSD18543Q3A MOSFET 进行逻辑电平输入。您能就以下几点进行澄清吗？

从上图可以看出、VGS 4V RDSon 高达 30m Ω。另外、从图中看、MOSFET 似乎处于低于 4V 的截止区域？

也无法将下图与上面的图关联

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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尊敬的 Pranjali：

再次感谢您关注 TI FET。 CSD18543Q3A 需要的最小 VGS ≥4.5V。这是数据表中指定了 RDS (on) 并在生产中测试的最小值。 TI 只能保证数据表中指定的内容并在生产中经过测试。我们不建议在 VGS < 4.5V 的情况下运行 CSD18543Q3A。数据表中的传输特性曲线适用于典型器件、数据从单个 FET 收集。数据表第 1 页上的 Rds (on) 与 VGS 之间的关系曲线表明、当 VGS = 4V 时、该曲线几乎是垂直的、阈值电压的任何微小变化都会导致 Rds (on) 呈指数级增加。我在下方包含指向应用手册的链接、其中包含指向 TI 网络上所有 FET 技术信息的链接、以及指向避免使用 FET 时出现常见错误的应用手册的链接。

https://www.ti.com/lit/an/slvafg3g/slvafg3g.pdf

https://www.ti.com/lit/an/slpa021/slpa021.pdf

如果您有任何问题、请查看并告诉我。

此致、

John

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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好感谢您的支持。

我们计划使用 DRV8162LDGSR 半桥驱动器。我们可以为 HS 和 LS 使用 CSD18543Q3A MOSFET。

我们的要求如下

持续负载电流 (RMS)：6A @24V 电池系统
工作温度：–40°C 至+85°C
工作电压：9V 至 32V
跨接启动：36V
可选/可用电源导轨（电池线除外）：+5V
输入 PWM：1.2kHz
占空比：50%、100%
负载突降：65V、持续 400ms
负载数量：1（电感性）
高侧和低侧 FET 的单 PWM 控制

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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尊敬的 Pranjali：

感谢您提供更多详细信息。除了 400ms 内的 65V 负载突降外、其他要求都是可以的。这会超过器件的最小 BVDSS (60V)、并可能导致雪崩、从而导致 FET 故障。 FET 不应看到 VDS > BVDSS (60V)。是否可以通过任何方法将最大 VDS 钳制在 60V 以下？另一种替代方案是 CSD19537Q3 采用 3.3mm x 3.3mm SON 封装的 100V N 沟道 FET。它具有更高的导通电阻、符合 RoHS 标准、无需内部引线式焊芯片连接。 CSD19537Q3 需要最小 VGS ≥6V。请查看并告诉我我还可以做些什么来为您提供支持。

谢谢、

John

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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尊敬的 Pranjali：

跟进以查看您的问题是否已解决。请告诉我。

谢谢、

John

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2769425 points

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感谢您的支持

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