[参考译文] BQ25820：自举栅极电压电平

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1614163/bq25820-booststrap-gate-voltage-level

器件型号： BQ25820

您好：

在我的电路中、我在 REGN 与 DRV_SUP 之间用了 3R3（我也尝试了 0r、结果/性能相同）

我正在使用 V1FM10-M3/H (EVM 中的相同 us) 诊断图

和在 BTST1 与 SW 之间的 100nF 电容器

栅极电压约为 5V（不更高）

以及如何将电压增加到 MOS 栅极的电压

开关频率为 500kHz

VIN 为 27.5V

电池电压 (4s) 为 16V 27.5Vin_16Vout_1.6A_80_SOC_HIDRV1 01.jpeg

BQ25820 Booststrap circuit.png

Shachar

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好 Shachar、

[引述 userid=“648139" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1614163/bq25820-booststrap-gate-voltage-level

栅极电压约为 5V（不更高）

以及如何将电压增加到 MOS 栅极的电压

[/报价]

需要将 DRV_SUP 连接到外部电源。

在 BQ25820 EVM 上、我们有一根跳线、可将 DRV_SUP 连接到 REGN 以获得 5V 栅极电压、或连接到外部源以获得更高电压。建议的最大电压为 12V。

此致、

基督教。

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