[参考译文] LM3429：LM3429 原理图审阅

您好、  

我无法查看下面原理图中的文本。  

1、请在输出端使用陶瓷电容器来过滤高频噪声。  

2.在 uDIM 引脚上有陶瓷电容;  

3、为了在调光期间获得更快的瞬态响应、应减小输出电容。   

e2e.ti.com/.../infineon_2D00_bsc040n10ns5_2D00_datasheet_2D00_en.pdf

我有一个问题,Vin17.5V~29V ,Vout48V/5.9A, IC LM3429 并置 N-mos Infineon bsc040n10ns5 Qg58nC,LM3429 是否能够驱动 BSC040N10NS5 的栅极?

由于输出功率高达 300W、因此该设计确实具有挑战性、在设计过程中需要高度注意散热问题。  

LM3429 驱动器可以只提供 1A 的峰值驱动电流。 驱动损耗和开关损耗很大。 在设计中应具有较低的工作频率。  

请计算功率损耗和电流并选择正确的功率级元件。 由于输出为 300W、输入电流大于 300W /17.5V= 17A。 R35 中的功率损耗超过 3.4W 、这是 2512 电阻器无法处理的。 请考虑连接到 FET 漏极。 电感器、二极管应该能够在降额的情况下处理大电流。  

请考虑使用双升压解决方案、以便在此类应用中提高效率和散热。  

Q4 N-mos 将  CET – CEZ16R10LA P-PAK5x6 更改为附件、所以您的意思是两组设计分别为 150W+150W、对吧？  LM3429 像 300W 这样的设计是否不合适？  e2e.ti.com/.../CET_5F00_CEZ16R10LA.pdf

您是否有更合适的 300W LED 升压 IC IC 建议？

我重新计算了计算、但 WRlim 功耗似乎仍然过高。 推荐两个 150W 集是否真的可行？ 请帮助确认计算 sheet.e2e.ti.com/.../LM3429-design-tool-by-150W.xlsx

如前所述、可以连接是 FET 的漏极而不是 WRlim、从而降低功率损耗。  

您需要根据系统应用、效率、散热、尺寸和成本等来分析和优化设计 更高的工作频率可能会减小 PCB/元件尺寸、同时降低效率。  

您还可以检查 TPS92682、它可以支持两相 CV 解决方案。  

如果连接的是 MOS 漏极、那么源极无连接 Rsense、对吗？