[参考译文] BQ27Z758：BQ27Z758–关于数据闪存编程的说明

Other Parts Discussed in Thread: BQ27Z758

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1617050/bq27z758-bq27z758-clarification-on-data-flash-programming

器件型号： BQ27Z758

我 I²C 通过 I ² C 将 BQ27Z758 电量监测计集成到基于嵌入式 STM32 的系统中、需要说明正确的数据闪存 (DF) 编程和 FET 使能过程。

目标：

1. 启用 CHG 和 DSG FET 以进行测试。

2. 在数据闪存中为 Impedance Track (IT) 算法初始化编程 Design Capacity 和 Design Voltage。

当前实施详细信息：

• 器件地址：0x55（7 位）

• 解封序列：0x0414→0x3672

• 完全访问：0xFFFF→0xFFFF

对于 DF 写入、我是：

1. 将 DF 地址 LSB 写入 0x3E、将 MSB 写入 0x3F

2. 将数据写入 0x40

3. 将校验和 (0xFF - SUM（DATA 字节）) 写入 0x60

4. 向 0x61 写入数据长度

5. 延迟 5ms

但是、我观察到：

• 未启用 FET。

• 在某些情况下、DF 值在复位后似乎不会持续存在。

问题：

1. BQ27Z758 在 DF 更新期间是否需要特定的密封/解封状态？

2. 在发出 0x0022 之后若要启用 CHG/DSG FET、是否需要特定序列？

3. 在 FET 控制生效之前、是否有必要的 IT 配置步骤？

4. 软复位 (0x0012) 是否足以重新加载修改后的 DF、或者是否建议使用不同的命令？

如果可用、我希望获得以下方面的指导或最少的经验证示例序列：

• 正确 DF 编程

• 启用 FET 控制

• 在新器件中启用 CHG 和 DSG FET

感谢您的支持。

此致、
Faisal Ahmed