Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100, BQ34Z100EVM, BQ34Z100-R2, EV2400, BQSTUDIO
部件号： BQ34Z100-R2
主题中讨论的其他器件： BQ34Z100EVM、BQ34Z100、 EV2400、 BQSTUDIO
您好、
我对学习循环有一些疑问。 我们大多数情况下都有问题、因为 SoC 百分比要么接近 0%、要么接近 100%、要么有点奇怪。 我们使用 7s10p 数据包、电芯为 Samsung INR18650-35E、这些电芯包含为 TI 定义的化学物质。 我们还使用了 bq34z100evm。 可悲的是、第 2 次记录、尝试充电丢失了。
软件包的设置包含在.gg 文件中。 我还添加了一些日志。
电源：29.5V、2.2A
我先讲几个可能与上述问题相关的非主题问题。
设计能量的计算公式是什么？ 它是 PACK_Capacity * SINGLE_CELL_NOMINAL_VOLTAGE = 33500*3.7V 吗？ 我们在第一次尝试中使用了不同的方法。
如果我们想执行另一个学习周期，是否应该以某种方式复位器件 — 上一个学习周期是否会影响下一个学习周期？
我们能否在具有不同分压器设置的 EVM 上创建一个黄金映像、然后在具有不同分压器的定制 PCB 上使用它？ 学习周期完成后是否可以更改分频器设置？
现在、我们完成了 1 个完整的学习周期、第二个周期正在进行中。
第 1 步 — 学习周期 FC 不等于–1
在这里、我们遇到了 SoC 过于迅速地达到 0%的问题。 100%的剩余容量似乎过低。 正如我们所看到的、对于分解 2、剩余容量只有 15940、我们将其乘以 2、如果正确的话、其大约为 32k、至少应为 33500。 当 SoC 达到 0%时、其大约 3.4V/节电池应该约为 3V。 在 Discharging2.log 中可以清楚地看到它（第 1 个学习周期的第 2 次放电）
2nd — 学习周期 FC 等于–1
在这种情况下、我们将 FC 设置为–1、因为我们可能认为 使用收尾设置将使 SoC 更接近正确。 可悲的是,它不是。 我们刚刚进行了充电、当充电器仍施加等于 2.2A 的电流时、我们达到了 SoC 的 100%-当所提供的电流等于收尾电流时、不应该达到 100%？ 在这一尝试中、我们也使用了前面提到的设计能量公式 (pack_Capacity * cell_nominal_voltage)。 设计能量实际上是否会影响学习周期 soc 读数？
最后一个问题:假设我们的设置有问题。 这是什么？ 我们希望 在大约 3V/电芯时实现 0%的精度、在大约 4.12V/电芯时实现 100%的精度。
DataMemory_2nd.csv
DataMemory.gg.csv
Discharging2.log
