[参考译文] UCC28710：请推荐合适的缓冲电路组件、以防止峰值钳位电压。

尊敬的 Muthu：  

您能否提供变压器详细匝数比？ 另外、我是否可以准确知道您在哪里测量这个钳位电压？ Csnub 是否具有如此高的电压额定值？ 您能提供相同的波形吗？

缓冲器设计看起来很好。 但是、对于 PSR 反激式转换器、最好 Dsnub 的 trr 在 150ns 至 500ns 之间、但这不会影响 Csnub 上的电压。

谢谢

此致

Anita

尊敬的  Muthukrishnan：  

观察波形可以看出、系统不稳定、因为它突然从低频转换到高频。

1) 我可以知道你在什么力量得到这个结果吗?

2) 如下图中突出显示的那样、您能否提供 M1 栅极电压下的波形、初级侧电流和 D2 上的电压波形？ 由于开关节点电压在短时间内（约 — 2+5V) 为负、波形看起来异常。 此时 MOSFET M1 体二极管传导的可能性很大。

3) 只有在捕获上述波形后、您能否将 CSn 降低至 2.2nF 并再次进行检查并提供开关节点的结果？

谢谢

此致

Anita

1. 所有波形均在 A 处捕获  12V/0.2A 负载 与 90V VAC 输入电压 。

MOSFET M1 栅极电压波形

二极管 D2 阳极至接地电压波形

二极管 D2 阳极至阴极电压波形

二极管 D2 阴极至接地电压波形

3. 电容值从降低  10nF 至 2.2nF  然而,有 无显著变化 出现明显的波动。

谢谢、

Muthukrishnan. A

尊敬的  Muthukrishnan：

根据 WEBENCH 设计的建议、考虑更改 MOSFET (M1)(STF13NM60ND)、因为使用的 MOSFET (80N240K6) 具有非常高的 Qrr (5.4uF)、足以将开关节点电压下拉至负值（CSN 中存储的能量反映在 VSW 上）。  

请在单个屏幕中探测初级侧电流、开关节点电压和栅极驱动电压、以验证相同情况。 您可以使用任何 Qrr 介于 700nC 至 1.5uF 所需电压和电流额定值之间的 MOSFET。

谢谢

此致

Anita

尊敬的  Muthukrishnan：

请问您的问题是否得到解决？

谢谢

此致

Anita