[参考译文] LM5137-Q1：LM5137-Q1 原理图配置

尊敬的 Yuming：

很高兴再次听到您的声音。 LM5137-Q1 在 FB 电压、误差放大器 gm、CS 放大器增益等方面存在一定的差异 使用快速入门计算器推导补偿值（这样做时确保降低陶瓷 Cout）、分流电阻值等

我来看看文件和回复 tmrw。

此致、

Tim

尊敬的 Yuming：

以下是一些注释：

1. 使用 80V FET 可实现更高的效率、尤其是在 Fsw 较高时。
2. 考虑对高侧 FET 使用更高的 Rdson（因为占空比低）。
3. 在 IC #1 处无需 PG2。 PG1 是多相（监控 FB1）的实际 PG 信号。
4. 使用一个 VCC 电容器并使其靠近引脚（与 EVM 相同）。

此致、

Tim

Yuming、

高侧 FET 同时具有导通损耗和开关损耗、而低侧 FET 实际上仅具有导通损耗。 因此、如果占空比低、小于 30%、则宜在高侧使用具有更高 Rdson、更低电容的器件。 这减少了开关损耗、在给定占空比的情况下、导通损耗只产生了很小的影响。 您可以使用快速入门计算器帮助了解损耗平衡。

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Tim

谢谢、Yuming。