[参考译文] TPS23730：使用 TPS23730 的有源钳位反激式控制器

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Other Parts Discussed in Thread: TPS23730, UCC24612

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1619722/tps23730-active-clamp-flyback-with-tps23730

器件型号： TPS23730
主题中讨论的其他器件： UCC24612

我正在为某些应用设计 48W (12V/4A) 输出 PD。

我在使用其他供应商提供的 PWM IC 的有源钳位反激式设计中有经验、但我想知道是否可以使用 TPS23730 有效地实现该设计。

我将使用具有光耦合器和同步 Rect 的 SSR。 IC 的低侧 FET。

请给我一些建议。

谢谢你

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2782575 points

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你好、张植、

感谢您的联系。

您会介绍 TPS23730 的有源钳位反激式控制器。我假设您想使用由 TPS23730 GAT2（称为 RTN）支持的 P-MOS 电容器类型有源钳位电路。

对于反激式次级侧、需要同步设计。是否需要分立式栅极驱动器 IC？

要实现该目标、一种更简单的方法是使用具有额外驱动绕组的分立式栅极驱动电路、如下所示：

或者、您可以将 MOSFET 放在低侧并使用栅极驱动器 IC。栅极驱动器 IC 可由 12V 供电。

此致、

Zhining

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2782575 points

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尊敬的 Zhining：

我注意到在没有栅极驱动器 IC 的情况下、FET 在空载（或轻负载）条件下会发热。

这是正确的吗？

谢谢、

J Won

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2782575 points

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我在使用具有栅极驱动器 IC 的低侧 FET (SRK1000) 时、努力解决了电路板上数百 MHz 时的 EMI 辐射问题。

因此、我决定将低侧 FET 替换为由 UCC24612 或 MP6908A 驱动的高侧 FET。

提前感谢您的建议。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2782575 points

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你好、张植、

感谢您的更新。

如果您没有栅极驱动器 IC、那么次级 FET 电流将通过其体/并联二极管、这可能会导致热量升高。没有原理图、就很难找到原因。

对于 EMI、原因可能很复杂。

您是否在考虑正激式转换器解决方案（有源钳位发展 )？正激式转换器将具有更好的 EMI 性能。

如果您有一种选择、我们的现有电路可与 TPS23730 配合使用、适用于分立式栅极驱动器电路或栅极驱动器 IC。

我们的 TPS23730EVM 使用有源钳位正激式拓扑来供您参考。

此致、

Zhining

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