[参考译文] TPS1663：第 3 部分：在过流事件期间、dVdt 电容器对 nFAULT/IMON 时序的影响

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1620657/tps1663-part3-dvdt-capacitor-impact-on-nfault-imon-timing-during-overcurrent-event

器件型号： TPS1663

尊敬的 Amrit：

由于我们在 E2E 论坛主题上遇到错误、但无法回复、因此我在下面重新发布信息：

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1619496/tps1663-part2-dvdt-capacitor-impact-on-nfault-imon-timing-during-overcurrent-event/6244415

请查找两个 CdVdT 条件下的波形结果。

案例 1：CdVdT = 1000 pF

• CH1：电子保险丝 OUT 引脚电压

• CH2：电子保险丝 FLT 引脚

• CH3：电子保险丝 IMON 引脚

• Ch4：电路输出电流

案例 2：CdVdT = 0.1 µF

• CH1：电路输出电压（电子保险丝 OUT）

• CH2：电子保险丝 FLT 引脚

• CH3：电子保险丝 IMON 引脚

• Ch4：输出电流

您能否解释一下 CdVdT 值与快速跳变时间 (tFASTTRIP) 之间的关系？

遗憾的是、这些是我们实验中的唯一波形。 如果需要、请让 TI 根据此信息验证预期行为。

谢谢、
Conor