[参考译文] BQ25756：将并联 MOSFET 与 BQ25756 结合使用

Other Parts Discussed in Thread: BQ25756

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1624699/bq25756-using-parallel-mosfets-with-bq25756

器件型号： BQ25756

这个问题之前有人问过 (https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1524687/bq25756-multiple-mosfet-for-buck-boost)、但我希望能了解更多详细信息。

我正在考虑在 BQ25756 设计中使用并联 MOSFET 来帮助散热。  我要考虑的特定 FET 包括：

• SiR680LDP（与 EVB 相同）
• TPH1R306PL1（更好的 FOM）
• BSC005N03LS5ATMA1（最佳 FOM）

如果我将它们并联：

1. 我认为应该添加单独的 LDO 来为 DRV_SUP 供电？
2. 我可以不对称地添加它们吗？  （仅对较低的桥臂使用并联 FET，甚至仅对一个桥臂使用）
3. 由此预计温度大约会下降多少？  如果单个 MOSFET 从 25°C 环境升温到 80°C、理想情况下、两个 MOSFET 应该达到 52.5°C。  不过、是否有适用于实际应用的经验法则？
4. 是否有任何其他注意事项？

谢谢！