[参考译文] LM5118：LM5118 不稳定电压且 M2 MOSFET 熔断

尊敬的 Anze：

感谢您使用 E2E 论坛。

为了进行进一步调查、如果您可以提供包含以下信号的示波器图将会很好。

-电感器的两侧 (HS / L_OUT)

- COMP

- VOUT

VIN

此致、

 Stefan

您好、Stefan：

感谢您的答复。 随附示波器图 — 如果您需要更多信息，请咨询。
只需注意 M2 现在已熔断、我可以根据需要进行替换。

谢谢、此致、

Anze

尊敬的 Anze：

请检查您的输入电源 — 这似乎不稳定或无法提供所需的电流。

此致、

 Stefan

这可能是因为 M2 对地短路（烧毁）。 我将其拆焊并绘制了新的图：
请注意、没有负载。

感谢您的帮助！

此致、

Anze

尊敬的 Anze：

感谢您的更新。

您能否提供一些更多示波器图：

还探测 SS 信号（相同设置高于该设置并持续 10ms）

放大上述示波器图 (10ms)、以看到 HS 上的~ 5-10 个脉冲。

您是否还可以探测电感器电流？

探测 CS/CSG 上的电压是另一种选择、但由于信号小和噪声高、这并不容易、并且需要良好的设置以及非常短的探头 GND 环路

(

尖端和接地筒：

https://www.ti.com/seclit/ml/slup385/slup385.pdf

幻灯片 28

)

此致、

 Stefan

您想让我通过保持移除 M2 或使用新 M2 来绘制这些图吗？

尊敬的 Anze：

它应该在工作板上、以便更换 M2。

上述测量是如何完成的？

到目前为止、您测试了多少块电路板？

此致、

 Stefan

一个电路板。
第一批图是电路板上熔断的 M2 — 因此 L_OUT 短接至 GND。
卸下 M2 的第二批产品。  
我没有电流探针。

现在使用替换 M2（电源电流限制为 100mA — 空载）：

^^在较长的时间段内没有发生任何情况。

是否怀疑 LM5118 熔断/有故障？

原理图是否正常？

谢谢、此致、

Anze

大家好！

我会使用速度慢得多的 MOSFET 进行启动、比如 EVM 电路板或/和栅极电阻器中使用的 Si7148。

我会将 MLCC 去耦电容器 0.1uF 至 1uF 放置在靠近 M1 MOSFET 的位置、2 层电路板可能有利于初始开发、但是

之后、我将使用 4 层结构。

我没有降压/升压转换器的经验、但我会先尝试以降压模式运行、如果正常、尝试启动升压器件。

此致、

Grzegorz

尊敬的 Anze：

因此、由于电路板无法正常工作、第一次测量并不能真正提供有用的信息。

一般而言、如果电路板无法正常工作、最好检查另一个 PCB 以避免调试焊接或制造问题。

一般来说、原理图看起来是可以的。 正如 Gregoryz 所述、使用一些栅极电阻器有助于减慢开关速度并避免振铃问题、可在第一个调试阶段发生击穿、然后在电路稳定运行后进行优化。

现在、您在示波器图上看到的是连续重启（SS 上升和下降）。 奇怪的是、SS 会上升至相当高的电压电平、而不是缓慢上升（在~3ms 内）。 请检查 CSS 是否正确连接。

这种快速 SS 斜率还可以解释 VOUT 会上升、然后再次下降。 每次启动尝试时、都会检测到由于高浪涌而导致的过流事件并触发重启。

此致、

 Stefan

尊敬的 Anze：

输出电压约为 12-14V、而 Vds=30V 的 MOSFET 在正常工作期间可能就足够了、但在调试阶段 I 会足够

建议使用具有较高 VDS 额定值（例如 60V 至 75V）的 MOSFET。

此致、

Grzegorz

大家好、感谢您的帮助。

我进行了更多测量并仔细检查了 LM5118 引脚是否与其他元件连通。 一切看起来都还可以。  
仍然找不到 这种 行为的罪魁祸首。  
VCC 引脚电压为 6.89V。 下图中的 SS、CS、CSG、RAMP、LO、HO 和 UVLO 引脚。 在探测 LO 时、M2 再次短路、100mA 处的电源受到电流限制。

我尝试了输入 18.5V、因此应仅处于降压模式。  

移除短接的 M2 后、I 还在仅降压模式下测量了 FB 和 COMP：

我恳请各位就这一问题提出任何方向。
是否应该添加斜坡电阻器？

尊敬的 Anze：

您是否还提供示波器图、在其中进一步放大以可以看到一些 (~10) 个开关周期。

ESP。 来自 HO、COMP、SS、VOUT

（请使用工作板。

工作板上的 M2 MSOFET 变热。 通常、MOSFET 会因过流（变得非常热）或过压而损坏。  

注意：CS 上的测量值对该标度没有帮助。 此信号为几 mV — 量程为 500mV/DIV 时、您看不到任何内容。 如前所述、该信号不容易测量。

此致、

 Stefan

尊敬的 Anze：

我怀疑 M2 MOSFET 在关断过程中被电压尖峰损坏。

如果您仍在使用 CSD17578Q3A 作为 M2 MOSFET、我会尝试添加大约 100 Ω 的栅极电阻器、它应该会延长其关断时间和限制

系统设计挑战。 如果这不利于保护 M2 MOSFET、我会 在漏极和源极与 SMAJ12A 之间添加 TVS 二极管、例如 SMBJ16A

栅极和源极之间应尽可能靠近 MOSFET 端子。

一旦 M2 MOSFET 不再损坏、您将有时间进行测量和调试电路。

此致、

Grzegorz

您好、

感谢您的答复。 我是否需要 M2 用于仅降压模式？ 它应该始终关闭？

您好、

我想您可以尝试单独断开漏极或断开整个 MOSFET。

我已经第二次移除 M2 了。 所有图看起来都相同。 当 Vin>Vout+3 时、Qbuck (M1) 仅每~9s 打开一次。 此外、LO 还会起火。  

尊敬的 Anze：

我将尝试执行以下操作（移除 M2）并查看它是否会带来任何变化：

-将 CCOMP2 替换为大约 10-22nF 的电容器

-使用一些功率电阻器将 Vout 加载到 0.2-1A 左右（必须增加 Vin 的电流限制）

-如果您使用 NTMFS5C670NL ,请在 M1 上放置一个约 47 欧姆的栅极电阻器。

-将 VIN 增加至 25V 左右

此致、

Grzegorz  

尊敬的 Anze：

由于 LM5118 是降压/升压、因此当器件空载运行时、升压低侧也可以在仅降压模式下开关。

此致、

 Stefan

尊敬的 Anze：

您能判断 M1 和 LM5118 发生故障时是否存在一些负载、Vin、栅极电阻器 SMD 类型或 THT 是什么？

在 M1 和 LM5118 发生故障之前、您是否成功进行了任何测量？

我希望您可以启动 PCB、然后缓慢地对其进行调试和改进、但似乎比我想象的要困难。

您是否有更多的 MOSFET 和 LM5118 可用于测试？

下一步、我要尝试限制电路板中的寄生电感并分析 M1 开关过程（示波器

时基设置为约 50ns/div)。

很遗憾、我不能保证您不会再丢失任何 MOSFET 或控制器。 所有这些参数

我在电路板开始正常工作之前丢失了几个 MOSFET 和驱动器、但我没有烧毁任何降压转换器。

此致、

Grzegorz

大家好！

感谢您的支持和指导。

Grzegorz、LM5118 发生故障时没有负载。 M1 还可以 — 门在测量时已充电。 我在刮板轨道上添加了 50R 0805 SMD。



我用新的替换了 LM5118。 CCOMP2 为 10nF。 M2 不在电路板上。

Stefan、我厌倦了按要求测量。  

以下是测量、进度不大、行为相同：

（VIN 和 VOUT 是所有曲线图中的相同探头）

补偿：

FB：

SS：

UVLO：

HO：

LO：（M2 偏离电路板） ：

谢谢、此致、
Anze

尊敬的 Anze：

我担心上面显示的 HO 信号。 您遇到了探头设置问题或 PCB 上出现了 GND 问题。

您能再次检查一下这些测量结果吗？ 它不应低于 GND（或仅适用于短下冲）。

此致、

 Stefan

感谢您抽出时间进行检查、您是否有更详细的信息我可以查看您的评论？ 我将获得新的测量结果、并尽快检查探头设置。

尊敬的 Anze：

感谢您提供上述所有信息。 50R 栅极电阻器放置正确。

当存在 50R 栅极电阻时、最好检查 M1 MOSFET 的开关速度。 您能不能测量上升沿和下降沿

多少个电压？ 示波器时基应设置为约 20-50ns/div。 我们需要测量下降和上升时间。

我将添加一些提示、说明如何改进 PCB（在设计新版本之前）以限制电压瞬态以及烧录 LM5118 或 MOSFET 的可能性。 您需要一个直径约为 0.8-1.0mm 的钻头和一小块铜箔的小型钻头。

1.请 在 M1 MOSFET 附近放置额外的 MLCC 去耦电容器（在 M1 漏极和 GND 之间）0.1uF、在  GND 电容器端子附近需要新的 GND 过孔。

请勿使用 CIX 电容器的 GND 过孔。

2. 请在 D1 阳极和 GND 之间放置 100nF 的 MLCC 电容器。 这样可以减少 RSENSE 电阻器的电感瞬态。

3. PGND 引脚 14 与 PCB 底部的接地平面有相当高的电感连接。

请用一块铜箔将引脚 14 过孔连接到 LM5118 下方的接地端和周围的接地端。

此致、

Grzegorz

非常感谢。 我 做了点 1。 和 2.



以下是 HS 图：

在 M1 附近添加了 MLCC 1uF、RS 附近添加了 100nF 后的 HO 图：  


第 3 点。 -我现在没有铜箔 — 订购。  

再次感谢大家、此致、
Anze

尊敬的 Anze：

感谢您完成上述所有测量。 这是一个快速的反应。 正确放置两个额外的盖子。

除了有时会出现的振铃外、HO 图看起来非常好。

HS 图看起来有点奇怪、我认为 HS 电压应该在 VIN 电平和（约 0.5V）电平之间切换。  

如果 HS 上升和下降时间低于 10ns（如 HS 图中所示）、则任何显著的负载电流都会损坏 LM5118 和 MOSFET。

我想、对于您的 PCB 板、可以实现约 50100ns 至 100ns 的下降/上升时间。

正如我之前提到的、您可能需要速度慢得多的 MOSFET、我不知道 500R 左右的栅极电阻器是否是一个很好的解决方案。

我今天要结束,也许明天我会有一些时间。   

此致。

Grzegorz

尊敬的 Anze：

VOUT 上升斜率约为 17V/ms、这表明为 COUTx 电容器充电的电流等于 17V/ms x 0.66mF = 11.2A。 这个电流看起来是通过 RSENSE 控制的。 在降压/升压模式下、此电流将高出 2 倍、这可能是 M2 如此容易燃烧的原因之一。 您能否在调试期间将 RSENSE 替换为 33m Ω 至 100m Ω 的电阻器。

11A 的电流加上低于 10ns 的下降/上升时间可能会产生瞬变和振铃、如果 LM5118 具有该瞬态和振铃、则可能会烧坏 LM5118 或停止任何数字内核。

此致、

Grzegorz

感谢您的帮助、我有 100 μ m 1206 1W 仅用于替换、我 明天试试一些组合。

尊敬的 Anze：

我担心的最后 3 个图上的振铃可能是正常的、我想当电流停止在电感器中流动时会发生振铃

D1 和 D2 开始充当与 L1 和 RLC 串联电路形成的电容器。

Stefan 提到了一些有趣的实验书,提供了关于这种振铃的信息。

e2e.ti.com/.../lm5118-lm5118-self-consuming-0-5w-and-strange-waveforms-on-gates

此致、

Grzegorz

尊敬的 Grzegorz：

谢谢、我会查看实验手册。 同时、我将 RS 更改为 100m Ω。
您看到图中有任何改进吗？

VIN：20V

HS：









HO：

Ch2：VOUT


此致、
Anze

尊敬的 Anze：

Anze、请告诉您是否使用示波器探头弹簧接地端、而不是尾纤型电缆。 务必使此类接地连接测量尽可能短。  

可以看到您的电路在 Vin=20V 的条件下工作。 将 Vout 添加到所有图中会很有帮助。

1.图 1。 最陡的  Vout 上升斜率现在约为 9V/ms、约为之前的 2 倍（使用 100m Ω RSENSE 电阻器后，我预计变化会更大）、该电流为 COUTx 电容器充电、等于 9V/ms x 0.66mF = 6A。 由于电流较低、您将获得较低的 LxdI/dt 和较低的电压瞬态、从而减少电路损坏的可能性。  

我会将 CSS 替换为 100nF 至 150nF、这可能会进一步降低最大电流。

您是否更改了 RT 电阻器？ 我注意到转换器频率从 100kHz 变为 3250kHz。

2. HS 图的其余部分。 HS 电压下冲/过冲和 HF 振铃（（10MHz 过冲）似乎低于以前的值。 这是 MOSFET 和 MOSFET 驱动器损坏的主要原因。

3. 50ns/div 时基的 HS 图。 HS 电压上升/下降时间约为 20ns 至 25ns（之前低于 10ns 的时间可能是由 Vin 电压较低引起的）、我认为它们对于您的电路板来说仍然需要快一些。 您可以尝试在当前 MOSFET 上使用 100R 栅极电阻器。 20MHz 处的 振铃具有非常高的振幅（如果使用探头弹簧接地尖端测量）、该振幅应随着 HS 电压下降/上升时间的延长而降低。 振铃是辐射发射的主要原因。 如果 PCB 设计更好、它的振幅会更低、但遗憾的是、它的频率会上升、可能会超过 30MHz。

4.何图是干净的,看起来不错。

当您替换 CSS 和栅极电阻器、电路仍然正常时、我会尝试加载 VOUT 的电流高达 1A。

此致、

Grzegorz

尊敬的 Grzegorz：
感谢你能抽出时间。

我不是在使用弹簧地面,现在我是。 我累了连接到尽可能靠近 HS 和 HO 的接地端。  
-我没有改变 RT.
-将 CSS 替换为 100nF
-将 M1 的栅极电阻器替换为 100 欧姆
- M2 仍然被移除。

VIN：20V、无负载、通道 1：HS/HO、通道 2：VOUT

我仍在重新启动/断续模式。 以下为 VOUT：


-----

HS：










-------------------

HO：





此致、
Anze

尊敬的 Anze：

当您查找一些波形时、需要使用弹簧夹。 当电流流经电感器时、寻找它们的理想时间是最高的时间。

在我们的例子中、当 Vout 的上升斜率最陡时、电感器电流最高。  

基本的 HS 波形为如下 3 类波形。  

在这一页上、我们可以估算 HS 上升时间、过冲幅度和振铃频率。

它可以像之前那样提供 HS 下降时间、下冲幅度和频率

。

接下来可以给出较长时间段内的下冲/过冲幅度、尽管高于 50ms/s 的示波器采样率会更好。

通常、我使用触发电平来捕获最高振幅的电压下冲和过冲。

查看您的最后几个图、我可以看到 HS 电压欠压/过冲比以前小。 HS 上升时间可能约为 40-50ns、下降时间约为 80-100ns。 我认为现在更安全地继续执行后续步骤、如输出负载和重新放置 M2 MOSFET（使用 100R 栅极电阻器）。 这可能会解决转换器持续重启的问题。

每隔 10 秒重新启动一次。 如果您添加另一个大约 470 μ F 的输出电容器、重启时间会延长、这意味着它基于电压。 如果重新启动时间保持不变、则表示它基于时间（可能有一些错误）。

PS： 在其他图中、弹簧夹不是很重要。

此致、

Grzegorz  

尊敬的 Anze：

我希望你们取得一些进展。  

我曾提及 LM5118 数据表、必须说这有点复杂。 如果仍对 LM5118 和/或 MOSFET 造成损坏、则仍需要改进电流调节。 您可以向 RSENSE 另外添加一个或两个 100m Ω 电阻器来获得 33m Ω 至 50m Ω 电阻器。 将抽头电容更改为 220pF 应该会加快电流调节。 当最大电流较低时、输出电容器以最大电流充电的第一阶段将延长、并且对于 100kHz 时钟、该阶段必须保持在 2.56ms 以下。  

器件未损坏后、电流调节就可以正常工作、希望持续重启的问题能够得到解决、下一步是调整电压环路稳定性。

PS： 如果您的重启仍有问题、我会在重启期间检查 LM5118 引脚 18 (HB) 上的电压。

此致、

Grzegorz

感谢您的支持。 我仍在等待一些元件继续测试。

后来、我计划尽可能遵循评估板、以实现最佳效果。  

尊敬的 Anze：

感谢您的更新。

此致、

 Stefan

尊敬的 Anze：

评估板将是一个很好的起点。 我会添加栅极电阻器的封装。 如果您计划通过 EMC 测试、我还会制造另一个布局与 EVM 电路板相似的 PCB 板、但有两个内层作为 GND 平面、以便进行比较。 它还有助于散发二极管和 MOSFET 产生的热量。 如果可能、我将同时使用采用扁平封装的 MOSFET 和二极管、无引线（尽可能少的杂散电感）。 我会使用尽可能小高度的电感器（它将充当天线辐射 EMI）。

此致、

Grzegorz

大家好！  

我将 Cramp 更改为 220pF、将 RS 更改为 33mOHM、在 LM5118 下添加了铜箔（焊接连接到 GND）、之前在两根接线柱上绘制。  
M2 仍然是电路板上的。  

VIN：20V、空载、通道 1：HS/HO/HB、通道 3：VOUT

重启仍在进行：


--------------------------------------------------------

HO：




--------------------------------------------

HS：




------------------------------------------------

HB：

--------------------------------------------

关于新的布局试验；  
评估板具有覆铜（岛）、而不是跨越多层（通过过孔固定）的载流布线、这种解决方案是否优于具有以下特性的 4 层堆叠：

1.信号/电源  
2.接地
3.接地
4.信号
？

谢谢、此致、Anze

尊敬的 Anze：

感谢您的所有测量。

现在查看 Vout、我们得到的斜率约为 1V/ms、平均线圈电流 1V/ms x 0.66mF = 0.66A。 它明显小于初始的  11.2A。

我现在看不到任何 HF（通过 10MHz） 振）振铃或电压下冲/过冲。  

我认为重启问题是由空载输出引起的、这会导致 M1 MOSFET 的导通时间更短和更短。 这进而导致 Cboot 电容器放电、LM5118 进入“HB-HS 欠压锁定“状态。 一旦 Vout 电压降至 3.5V 左右且 HB-HS 超过 3V 至 3.5V、LM 就能够重新启动。

我认为您的电路现在对于负载电流为 0.1-0.4A 非常安全、然后如果停止重新启动、您可以尝试重新安装 M2 MOSFET（使用 100R 栅极电阻器）。

“评估板具有覆铜（岛）、而不是跨越多层（通过过孔固定）的载流布线、这种解决方案是否优于具有以下特性的 4 层堆叠：“

我认为评估板的顶层非常好、这些覆铜具有低杂散电感、C5、Q1、D4、R13（以及 C10、Q2、D1）位置为高 di/dt 环路提供了低电感。 我将尝试通过使用未分离的接地并使用堆叠来修改评估 PCB  

1.信号/电源  
2.接地
3.接地
4.信号

我认为它应该能够更好地进行热传递、并应该为外层的布线（也应该为覆铜等非常厚的布线）提供一些 EMI 屏蔽。

这种堆叠是否会比评估板更好？ 检查它的唯一方法是执行 EMC 测试。

此致、

Grzegorz  

感谢您的意见。 轻负载板下实际上以某种方式工作。

M2 仍然未在电路板上。
Vin：20V、Ch1：HO、Ch3：VOUT

在 0mA 负载下、Vout =~12.5V（应在~13.5V 下）
在 100mA 负载 Vout =~12V 时
在 200mA 负载 Vout =~8.5V 时






下一步是用 100 Ω 栅极电阻器重新添加 M2？

尊敬的 Anze：

重新启动的性质可能比我想象的要复杂一些。

“下一步是用 100 Ω 栅极电阻器重新添加 M2？“ -是的,请。 我希望 MOSFET 或 LM5118 不会烧掉。

我们将查看升压器件是否会尝试稳定输出电压。  

我不知道为什么降压器件不自行保持输出电压。  

我会在有时间的时候尝试遵循这一主题。

PS： 其次、我认为在降压器件上多做一些工作可能会更好。

目前、限流模式下的 PWM 周期数可能超过 256、稳压器进入断续模式 (LM5118 数据表 7.3.5)

此致、

Grzegorz

尊敬的 Anze：

您可以尝试移除 COUT1 或 COUT2、如果限流模式下的 PWM 周期数超过 256、则降低输出电容应该会有所帮助

来保持输出电压稳定。

PS：

您是否可以在 HS 和 GND 之间连接一个大约 22-33k Ω 的电阻器？ 它可能会将 D2 反向漏电流接地、并有助于保留 Cboot

在调试过程中充电。

此致、

Grzegorz

尊敬的 Grzegorz：

我添加了 M2、栅极上的电压为 100R、并从 HS 到 GND 增加了 33k。 工作正常、输入电压为 5-30Vin 时、我获得了稳定的 13.5V 输出。
但在输出负载 320mA@5Vin、450mA@6Vin、580mA@7Vin、650mA@8Vin 时、Vout 会崩溃。 是否可以通过选择不同的器件进一步改进这一点？ 实际上是什么解决了这个问题？

非常感谢您的时间和支持！

此致、
Anze

尊敬的 Anze：

没问题,我喜欢不时地解决一些难题。 我很高兴听到您的电路开始工作。

我认为主要问题是电压下冲/过冲以及随后的振铃幅度过高。 这可能正在燃烧 MOSFET 和 LM5118。 这些下冲/过冲的振幅与 Lxdi/dt 成正比。 通过放置额外的去耦电容器和铜箔、您可以减小“L"（“（即（即寄生电感）。通过降低吸尘电容值并增大 Rsense、您可以降低由 LM 调节的电流（即“di"）“）。 通过添加栅极电阻、您会增加时间、即方程的“dt"部分“部分。 LM 重新启动问题可能与 LM5118 保护功能有关、例如 限流模式下的最大 PWM 周期数 (256) 和 “HB-HS 欠压锁定“。 这主要是由高 Cout、空载输出、低最大值引起的 电流（降低以限制“di"）“）和输出电压过冲超过 13.5V。

我认为目前的主要限制是 PCB、但您可以通过缓慢增加电流并观察 HS 和 Lout 点上的电压下冲/过冲的幅度、尽可能地摆脱 PCB 的限制。

您可以执行以下操作：

1.增加抽头至 330pF。

2.如果电路正常、则根据 LM5118 数据表中的公式 (4)、缓慢减小 Rsense 并增加吸力。

3.如果开关损耗过高,您可以尝试降低一位栅极电阻器的值。 在最终版本中、您可以用具有更高 CGD 的 MOSFET 代替 MOSFET。

此致、

Grzegorz

大家好！

如果可以、我想使用这篇文章进行新的布局审核、因为其目标是消除上述问题。  

堆叠：
信号/电源
GND
磁芯
GND
SIG

e2e.ti.com/.../lm5118_2D00_top.pdf
e2e.ti.com/.../lm5118_2D00_bottom.pdf

主要难题是在连接到 AGND 的电容器/电阻器周围使用覆铜。 它现在是它们周围的无实心区域。
经过一些研究后、我决定根据数据表中的建议不拆分 GND 平面。


感谢您发送编修。

尊敬的 Anze：

我知道它是一个 4 层电路板、其中两个内层是实心接地层。 对于我来说、一个非分割接地适用于包含 48V/10A 电机驱动器、300MHz MCU、3 个降压转换器、数字外设和非常敏感的模拟输入的相当大的 PCB。 我希望这款设计也能为您效劳。

此 PCB 布局看起来比第一个布局好得多、但有几个方面需要我尝试改进、如下所示：

1. LM 和 M1 之间的迹线 (HO 和 HS) 应更厚（比如 0.5mm）并且彼此靠近。
2. M2 栅极电阻器和 LM 之间的布线也应更粗。
3.更改 C2 的位置。
4.将可选 RC 缓冲器的空间与 R1 并联, L1 的高度较大,您可能需要将 HS 振铃保持在最低水平。
5.为与 C3 串联的缓冲电阻器增加空间。
6.移动两个小 MLCC 输出电容器（或仅移动一个,使另一个靠近输出连接器作为 ESD 保护的一部分）
7.放置 D1 封装,使高 di/dt 环路面积 (C1,M1,D1,C2) 最小
8.放置 D2 占用空间、使高 di/dt 环路面积 (M2、D2、COUTX) 尽可能小

我将在未来的日子里增加更多。

此致、

Grzegorz

感谢您的建议 — 我尽我所能实施这些建议：

e2e.ti.com/.../6114.lm5118_2D00_top.pdf

e2e.ti.com/.../4456.lm5118_2D00_bottom.pdf

计划值：

CIN3/4 2.uF
C1 100nF
CTX 470nF

我还准备好用于不同电感器和缓冲器的焊盘。

此致、

Anze

尊敬的 Anze：

以下是一些很好的布局文档。 LM5176 不需要测试、但其中大部分测试也适用于：

有关布局的其他信息可在此处找到：

(1) 四开关降压/升压布局提示 1：确定布局的关键器件

(2) 四开关降压/升压布局提示 2：优化功率级中的热环路

(3) 四开关降压/升压布局提示 3：将差分检测线路与电源平面分离

(4) 四开关降压/升压布局提示 4：栅极驱动和返回路径布线

转到上面的布局：

-不要在功率级使用热量 — 这会增加电感,并可能影响功率级（包括电容器）

-使 MOSFET 靠近控制器,缩短电线将会更好

-将 HS 和 HO 线相互叠加 — 或彼此相邻-这样可以减少由电流环路构建的环路面积

-同样对 LO 和 GND 有效,但这更容易,因为你有一个 GND 平面

-尝试将 CVCC 电容器也直接连接到 PGND 引脚（不通过过孔）

此致、

 Stefan

尊敬的 Anze：

1.我注意到您将接地过孔放置在靠近布线改变其层的位置。 好了
这是一个很好的做法。
2.您可以向后移动 VIN、HS、L-OUT 和向外的外边缘约 2 毫米,并缝合所有边缘  
有接地过孔的 PCB 面积。  
您可以使用接地过孔缝补顶层接地覆铜的任何松动部分。
它应该有助于防止接地层产生任何可能的谐振。
LM 引脚 UVLO、EN、VIN、VB、COMP 和 VOUT 直接或间接连接到 IN 和 OUT 连接器
可能受 ESD 应力影响。
- VIN 引脚很好地保护了 CIX
- UVLO 引脚由 CIX 和 RUV1 保护
- EN 引脚、我会将 RENABLE 电阻器的连接移至更靠近 CINX 和 RUV1 的位置
此外、我还要将连接上述所有引脚的布线从 IN 连接器移至 VIN
到 CIN3、CIN4 区域。
- VB、COMP 和 VOUT 通过布线连接到 OUT 连接器。 这是一个非常好的地方
输出电压控制、但 ESD 保护效果相当差。
对于 1oz 铜、OUT 连接器和 COUT3 之间的布线大约为 1cm 宽、大约为 5cm 长
它在 3A 时提供约 2m Ω 的电阻和 6mV 的压降。 如果额外出现 6mV 电压错误
可接受、我会将该迹线移至 COUT3 区域、如果不是、我会将该迹线移至 COUTX2 后面
（COUTX2 和 COUT3 之间）。
4. LM5118 位置便于放置所有电源元件、遗憾的是 LM 已放置
连接器之间的电阻。 我认为会有一些直流和低频电流流动
在 LM 下方的接地层中、IN 和 OUT 连接器的负极端子之间。 模拟部分
LM5118 电路的设计非常紧凑、我猜这是由上述电流引起的压降
不应导致重大问题。

“主要难题是在连接到 AGND 的电容器/电阻器周围使用覆铜。 现在,它周围的无固体区域。“ -我认为 LM 电路的模拟部分（底部）看起来不错。 只要该区域下方有不间断的接地层、就应该对其进行良好的基准和屏蔽。

“CIN3/4 2.UF
C1 100nF
CTX 470nF
我还准备了用于不同电感器和缓冲器的焊盘。“ -它看起来合理。

此致、

Grzegorz