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Other Parts Discussed in Thread: BQ76942, BQ25756
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1619466/bq76942-use-instead-of-back-to-back-mosfet-charge-discharge-fet-a-bigan-fet
器件型号： BQ76942主题中讨论的其他器件： BQ25756
Hallo TI 团队、
是否可以使用 Bigan（双向氮化镓）FET 代替传统的背对背 MOSFET 与 BQ76942 配合使用？
如果是、驱动器电路会是什么样子的？
编程时需要考虑什么？
您好 Klaus：
由于栅极存在漏电流、电池充电器 BQ25756 在驱动 GaN 时会出现问题。 我尚未在 BQ76942 电池监控器上测试电荷泵。 如果漏电流不会成为问题、我不明白为什么不能使用 Bigan。 但是、我认为电荷泵的设计并未考虑 GaN 的漏电流。 我认为、开始时栅极泄漏超过 20uA、电荷泵可能会出现问题。
此致、 Michael
您好、Michael、
感谢您的解释。
此致
Klaus
