您好 Daniel、
感谢您的快速答复。 我认为使用 INV 输入是指它检测 R1 两端的电压。 当输入电压为 5V（正常工作）时、该电压将为 0V、当发生过压事件时、齐纳二极管将达到其击穿电压并允许电流流动、使 R1 两端的电压>0V。 这应该会关闭馈送 R4 的 NMOS（负载）并保护负载。 如果这有道理、请告诉我。
我想为什么将负载 (R4) 设置为 100k Ω 是因为当我将负载设置为 1k 时、我得到的输出电压为 222.5mV、该值高于“跳闸“状态 (28nV)。 栅极电压仍然具有~5V 的相同行为。 我还意识到我的图形光标未显示正确的值、请查看随附的图形、负载为 100kohms。 除了 VOUT 是前面提到的值之外、1k Ω 图是相同的。 
嗨、Daniel、
最好了解数字输入引脚上的最大电压。 我能够在这些上得到一个分压器、 将高电压保持在 5.5V 以下。 栅极输出的行为仍然相同。 我 想说这是 BJT 的驱动器、但我从数据表的第 8 页复制功率 MOSFET 驱动器的设计。 我想知道 PSPICE 只是处理得很奇怪。 
尊敬的 Daniel：
有人在玩过模型后、我认为这很可能是一个模型问题。 我使用脉冲源对输入进行了“仿真“（请参阅被吸引）、但仍然得到相同的行为：栅极仅以接地 (0V) 为基准驱动至 5V。 我将联系 TI 支持人员、了解他们是否可以阐明这是否为预期行为。 感谢你的帮助。 在收到 TI 支持部门的回复之前、我将保持这个状态不变。
