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[参考译文] TPS546E25:TPS546E25:TI EVB 和定制电路板之间 READ_IOUT (0x8C) 指数存在差异

Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS546E25

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1627829/tps546e25-tps546e25-discrepancy-in-read_iout-0x8c-exponent-between-ti-evb-and-custom-board

器件型号: TPS546E25

您好:

我目前正在评估 TPS546E25 在两个不同的平台上:官员 TI 评估板 (EVB) 和 A 定制设计的电路板

我发现遥测数据不一致、特别是有关 READ_IOUT (0x8C) 命令。 根据数据表、该器件使用的线性数据格式 READ_IOUT、指数声明为 固定为–4

但是、在使用读取寄存器时 Fusion 设计在线 ,我注意到以下差异:

  • TI EVB (IC 标识:'P'546E25 TI 41I AQOH G4): 指数报告为 –5

  • 定制电路板 (IC 标识:'546E25 TI 5AI A8TK G4): 指数报告为 4. (与数据表匹配)。

前提是 EVB 单元有一个 'P' 前缀、而我的定制电路板具有 'T' 前缀、我怀疑这种差异是由于预生产批次和大规模生产批次之间的器件版本或内部固件更新造成的。

问题:

  1. 启动 'P' EVB 器件上的前缀确认它是一个具有不同默认指数设置的预量产/原型器件?

  2. READ_IOUT指数是否在器件中进行硬编码、或者是否是存储在 NVM 中的固件定义参数、在修订过程中发生了更改?

  3. 我能否证实这一切的未来 'T' 生产单位将严格遵循前缀 4. 指数中所述的平均值是多少?

我附上了 Fusion 设计在线屏幕截图 IC 标记照片 供您参考。

我期待着你的澄清。

此致、

 

定制电路板寄存器 (  Fusion 设计在线  )

DesignBoard_register.png

 

TPS546E25EVM-1PH  寄存器 ( Fusion 设计在线  )

EVB_register.png

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您对观察结果的全面审查。

    在 EVB 器件上: 是、P 为预量产。    41I 是日期域代码 YMS、年月域。  

    对于 4=2024 、1 = 1 月、第一个  版本的器件和 41I AQOH 安装在第一个 EVM 版本上。

    此外、IC_DEVICE_REV (AEh) 为 0x70、这是预量产器件。  

    在 带有标记 TI 5AI A8TK 的定制电路板上、 IC_DEVICE_REV (AEh) 为 0x75(量产器件) 。  

    5AI 生产日期代码为 2025 年 10 月。  

    –4 指数未进行硬编码、并且不是客户 GUI 可访问的 NVM。  

    但在 ATE 生产期间由电流检测增益设置。

    发布量产后的任何更改都需要 PCN 以及数据表和测试程序变更的大量签核。  

    没有更改 READ_IOUT 指数的计划。

    0x70 和 0x75 之间有一些明显的差异、

    更改了 0x75 上的 PIN_DETECT_OVERRIDE (D8h)  1b 启用引脚搭接、0b 启用 NVM(与 0x70 相反)

    PMBUS_ADDR、请参阅 链接

      当为 MSEL2 选择 76.8k Ω、22.1k Ω、5.9k Ω 或<1.78k Ω 时、COMP 写入 D4h 可能会影响引脚搭接表中的增益和斜坡设置  

    此致、

    David