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[参考译文] TLV767:TLV767 IC 不能加载高达 1A 的电流

Guru**** 2826855 points

Other Parts Discussed in Thread: TLV767

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1629884/tlv767-tlv767-ic-is-not-capable-to-load-up-to-1a

器件型号: TLV767

原理图 image.png

在 +15V 输入和+5V 输出下将 TLV767 加载到高达 1A 时会遇到问题。  

我们还尝试了更改为电阻器 R192 = 620k 且 R193 = 120K

一个通过变阻器的负载 IC。

如果我们尝试增加负载、IC 将进入断续模式。

我们在这里分享了捕获的波形。

黄色:+5V 输出;蓝色: 断续模式下的输出电流和 IC TEK00762.PNG

黄色:+5V 输出;蓝色: 轻负载条件下的输出电流和 IC

TEK00764.PNG

还附了电路板布局布线。

image.png

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Lokesh:

    在 15V 输入电压和 5V 输出电压下、在 1A 负载下、LDO 会分散其 10W。  这将使 LDO 进入热关断状态。 JEDEC 热阻为 60 C/W、饱和电路板布局布线将产生约 50%的热阻、即 30 C/W  这意味着、在理想情况下、温升尝试达到 300°C(热关断之前)、但可能更高、除非从热的角度将您的电路板布局布线视为饱和。   

    您需要将 LDO 上的功率耗散至少降低一半。  您可以降低 Vin 或降低负载电流(如果可能)。  或者、您可以选择具有较低热阻的不同 LDO、并将其并联以在多个器件之间分散散热。  

    谢谢、
    Stephen