[参考译文] TPS1214-Q1：检测电阻位置

您好、Sarah：

感谢您的澄清。 我提出这个问题是因为我们在设计中使用了多个这样的栅极驱动器、它们共享 28V 共模输入、并且我们将其连接到 MOSFET 的漏极、因为总电流更大、需要更大的路径来承载这一电流。 在这种情况下、我们将 RSNS 移到 MOSFET 的另一侧为源极。

我观察到、当我们将 28V 输入提供给栅极驱动器、并将 INP 输入提供 3.3V 电压时、此时 MOSFET 正确导通、我们在输出端获得 28V 电压。

但当我们使 INP 输入为 0 时、VGS 变为零、但我们在输出端看到 26.5V、而不是零。 我不使用 Q2、因为它用于快速放电、但我连接了 28Ohm 电阻器以 1A 的电流加载输出、认为在开路负载下、它可能显示浮动节点电压 26.5V。 当我在突然一段时间后尝试加载 MOSFET 时、我观察到 TPS1214 栅极驱动 IC 损坏。

如果负载未连接、栅极驱动是否可能正常工作并通过 28V、以及由于传感不正确而连接负载后、您提到栅极驱动不支持更改 RNSN 位置、这确实是导致这种异常行为和 IC 损坏的原因。

请说明更改 RSNS 位置的后果。

另一点是、如果我们不想使用外部 FET 检测、那么我们可以将 CS1+和 CS1-连接到 VBAT 并排除 RSNS。

其他保护（如短路保护）、i2t 是否会在此情况下工作？或者它仍然需要 RSNS 电阻器来实现保护功能？

谢谢、

Namita

您好、Sarah：

感谢您的意见。 您刚才提到的浪涌可能是出现问题的原因。 我不使用哪个 Q3 的旁路 FET、因此我将所有负载都导通到主 FET。 我未使用 LPM 模式、且已将 LPM 引脚连接到 EN/UVLO。  

为了避免浪涌通过主 MOSFET、我可以看到下面所述的一些设计。

考虑 68 μ F 作为负载电容器、  

R1=100k Ω

C1=2.2nF

R2 = 10 Ω

CBST = 100nF

此值是否可用于限制浪涌？

我在 TPS1214EVM 中看到、R1=0 Ω、 在设计中使用了相同的 R2=0 Ω、我认为这是导致问题、因此我只是重新验证了浪涌设计。

在使用新的值测试之前、我只需要您提供一些建议或意见。

谢谢、

Namita