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[参考译文] TPS43060EVM-199:死区时间故障。

Guru**** 2826855 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS43060

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1630164/tps43060evm-199-dead-time-fail

器件型号: TPS43060EVM-199
主题中讨论的其他器件: TPS43060

尊敬的 TI 团队:

我目前正在评估 TPS43060 EVB 套件。 使用原始 BOM 配置时、我观察到了与 MOSFET 栅极开关行为相关的异常现象(请参阅随附的图)。

当低侧 MOSFET 导通时、高侧栅极似乎受到干扰、从而导致短路情况。 这种行为是意外的、在使用原始 EVB BOM 设计时不应发生。

您能否帮助审核此行为中是否存在任何潜在问题或可疑点?

注意:

  • CH1:高侧栅极
  • Ch2:开关节点
  • CH3:低侧栅极
  • 数学运算:高侧栅极至开关节点 (Vgs)

gate.jpg

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Yeason Yeh、

    感谢您使用 e2e 论坛。
    根据该波形、很难判断我们是否实际存在跨导、或者这是否只是测量不准确。
    SW 和 HDRV 的探头如何连接到电路板? 您是否使用尖端和接地筒来实现非常短的接地环路? 哪个 GND 连接用作参考?

    我们的 EVM 板通常在开发过程中进行测试、因此如果在生产此 EVM 板的 10 年以上期间不注意到这样的重大误差、我会感到困惑。
    在此期间、我可以查看过去是否曾针对此特定电路板提出过此问题。

    此致、
    Niklas