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[参考译文] LM5069：DPAK-MOSFET STD110N8 F6 热交换

admin
Guru**** 2826855 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1628276/lm5069-hotswapping-with-a-dpak-mosfet-std110n8-f6

器件型号： LM5069

消息流
5069 设计工具 — 修订版 C
LM5069MM-2
STD110N8F6 (DPAK、80V)
VIN= 53VDC
Rs = 5mr
Cload = 880uF
Rpwr = 42k2
Ctimer = 1uF
降额 SOA/PLIM = 1.17

尽管有 1.17 的裕度 (SOA/PLIM = 1.17)、但 MOSFET STD110N8F6 在 100 块电子板中的 25 块上失败。 DPAK 封装在设计中被修复。 启动期间、也可以降低 FET 上的功耗。 尽管如此、我的问题是为什么即使设计工具指示裕度大于 1.1、FET 也会失效。 测量结果还表明、在整个启动阶段、I 保持在 SOA 曲线以下、FET 发生故障的情况除外。
应如何实现热插拔设计、使 MOSFET 不会损坏？

提前 Thx




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    TI__Guru**** 2826855 points
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    您好 Christian：

    请发送设计计算器和原理图以进行审查。

    请参阅以下有关 热插拔设计的应用手册。

    slA673a_可靠热插拔 Design.pdf

    此致、

    Mani。

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    TI__Guru**** 2826855 points
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    在这里。
    如果您有任何不需要重新设计的建议、请告诉我。
    提前感谢。

    此致、
    基督教


    e2e.ti.com/.../STD110N8F6_5F00_LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx

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    TI__Guru**** 2826855 points
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    您好 Christian：

    实际功率限制值应高于最小功率限制。

    如果更改实际功率限制、则 MOSFET 的 SOA 小于 1

    此致、

    Mani。

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    TI__Guru**** 2826855 points
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    是的、我明白。 但是、如果实际 PLIM 达到 72W 、MOSFET 将不可避免地出现故障。 您能否计算或建议该 FET Rpwr 的最佳值应该是多少？ 我已经将 Rpwr 降低到 18kΩ 、从而防止 MOSFET 损坏、但这会导致 VSNS 降至 5mV 以下 。

    由于 PCB 布局必须保持不变、因此 MOSFET 应是同一器件、或者至少使用相同的 DPAK 封装。 事实证明、找到一种能够满足所有这些限制的解决方案是相当具有挑战性的。

    此致

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    TI__Guru**** 2826855 points
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    请查找更新后的设计计算器。

    e2e.ti.com/.../STD110N8F6_5F00_LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C-_2800_1_2900_.xlsx

    将输出电容器更改为 600uF、并根据设计计算器更新元件值。

    对于新设计、请添加 dVdt 软启动电路。

    此致、

    Mani。

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    TI__Guru**** 2826855 points
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    谢谢 Mani 的帮助。
    这并不能解决我的问题、但我将研究接下来的设计、以便选择一个更好/更大的 MOSFET 来为大输出电容充电。
    祝你度过美好的一天！
    基督教