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[参考译文] LM5069:LM5069 压摆率远高于预期

Guru**** 2826855 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1629495/lm5069-lm5069-slew-rate-is-much-longer-than-expected

器件型号: LM5069

您好、

压摆率为 0.8V/ms。 其设计为 7V/ms。

下面的电路中是否缺少某些内容? 我还附上了电子表格计算器。

MOSFET 软启动计算器 PSMUR90-80ASEJ 的工作原理 — V3.xlsx 

image.png

原理图: TEST.pdf 

以下屏幕截图取自连接了 12A 电子负载的 Vout 测试点。 输入 PSU 设置为 24V 20A。

CAN_S121.PNG

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    C3 在 PCB 上填充为 2.2nF。 使用 Keysight LCR 表测量的 C3 电容为 4.8nF。

    附件是 Altium 中的布局。

     e2e.ti.com/.../5241.Layout.zip

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    这是计时器引脚的屏幕截图、即空载时的启动性能。 捕获时、计时器中使用了 560nF 电容器。  


    这是计时器引脚的屏幕截图、即 12A 时的启动性能。 第一个脉冲持续 551ms 并达到 4V。 第二个脉冲持续 1s、从 3.16V 开始、到 0V 结束。

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    您好、Ahmad、

    压摆率即将降低、因为压摆率由 dVdt 电容加上 MOSFET 的 CISS 决定。  

    MOSFET 的 Ciss 非常高、这是压摆率较低的原因。

    下面是计时器引脚的屏幕截图、12A 时的启动性能。 第一个脉冲持续 551ms 并达到 4V。 第二个脉冲持续 1s、从 3.16V 开始、到 0V 结束。
    [/报价]

    这是预期行为。 启动期间会触发故障、这是计时器电容开始充电的原因、以及当 计时器达到 3.16V 故障时清除故障且计时器开始以 2.5uA 电流放电。

    此致、

    Mani。

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    非常感谢。 这很有帮助。

    我正在输入电源出现故障的错误情况下测试系统的性能、无法提供足够的电流。

    我已将 PSU 设置为 24V 3.5A、负载设置为 5A。 由于负载大于 PSU、输入电压将崩溃。 重要的是电路不会损坏。

    CdV/dt=22nF。  Rpwr = 160K、Ctimer=670nF

    有时会出现快速振荡、导致 MOSFET 变热。 我尝试使用 TPS3842A011DRLR 处理这种情况、方法是在电压降至 19V 以下超过几 ms 时将 UVLO 输入设置为低电平。 我尝试在振荡之前捕捉此情况。

    这是处理这种振荡的最佳方法吗?

    我尝试使用 LM5069 的 UVLO 功能、但在电源不足时也出现了相同的振荡。

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    您好、Ahmad、

    LM5069 是重试器件。 当电源达到电流限制时、输入电源在输入电源降至零 MOSFET 并且负载关断后降至零、这会导致电源超出电流限制、输入电压再次上升、当输入电压上升时、MOSFET 开始导通、电源将达到电流限制。

    此致、

    Mani。