[参考译文] UCC24612：有关比例栅极驱动的问题。

尊敬的 Kazuya：

请告诉我您在使用哪些 MOSFET？ FET 的 RDS 是什么？

此致、

亚米尼。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的答复。

客户尚未决定使用哪种 MOSFET。
想从 TI 获得一般性意见。

 如果没有特定的 MOSFET 器件型号和 Rdson、是否难以回答任何注释？

再次感谢大家、此致、
Kazuya。  

尊敬的 Kazuya：

是的、根据 RDS ON、我们可以检查 IC 是否能够驱动并联 FET。

请参考下面的主题,你会得到一个想法。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/691605/ucc24612-can-it-drive-2-pcs-100a-mosfet-in-parallel/2550251?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=UCC24612#

此致、

亚米尼。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的支持。

您所示的主题表示、RDSon 非常低的 MOSFET 不能用于 UCC24612。

此时、客户有以下问题。
请你给我答复。

问题 1：
在 MOSFET 并联连接情况下、最小 Rdson 值是多少？

问题 2：
为什么 不使用 RDSon 极低的 MOSFET？

问题 3
如果在 VG 和 MOSFET 栅极之间插入一个电阻器（例如 10 Ω）、
尽管使用了非常低的 Rdson MOSFET、这是否没问题？   

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Kazuya：

最小 RDS ON 取决于您的电路规格请参阅以下片段（取自 UCC24612 数据表）、它将为您的 Q1 和 Q2 提供答案。

问题 3 否、尽管 FET 的 RDS ON 不是太低、但建议为并联电阻使用单独的栅极电阻器、以防止栅极上有破坏性的高频噪声。

此致、

亚米尼。  

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的答复。

正如我在这个胎面开始时所写、客户希望并联使用 2 个 MOSFET。

此时、他们有以下问题。
请你给我答复。

Q1.如果并联连接的 2 个 MOSFET 的 Rdson 电阻高于公式 1 计算出的电阻、
   使用 2 个并联的 MOSFET 是否没问题？    
问题 2：
这种使用是否可能导致每个 FET 之间出现电流不平衡？
此外、是否有任何对策来避免电流不平衡？

问题 3
是否会由于栅源布线长度的差异或 FET 之间的个体差异而增加这种不平衡？

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的 支持。

我向他们询问了他们要使用的 MOSFET 器件型号、但他们尚未确定器件型号。
然而、它们假设 1pc 的 MOSFET RDSon 为 1.1mil Ω
1pc 的峰值电流为 62.5A。

他们希望使用 2 个并联的 MOSFET (FET1 和 FET2) 来减少
每 1pC MOSFET 的峰值电流。

此时、他们有以下问题。
我能再问你们这些吗？

问题 1：
这种使用是否有任何问题？
问题 2：
这种使用是否可能导致每个 FET 之间出现电流不平衡？
问题 3
栅源布线长度的差异是否会增加这种不平衡
或 FET 之间的单独差异？

关于 Q2、他们认为每个 MOSFET 的运行方式如下
当 FET1 和 FET2 连接到 UCC24612 VG 时。

例如、
当流向每个 FET 的次级电流减小时、
例如、当 FET1 的 Rdson 高于 FET2 的 Rdson 时、
1.FET2 电流高于 FET1 之一。
当 SR 漏源电压降至–50mV 以下时、栅极电压开始
  下降、FET2 电流比增加。
3.电流变得不平衡。
这个想法是正确的吗？
同时使用并联 MOSFET 是否也存在问题？
或者它没有问题、因为它 在瞬态过程中的差异很小？

请你给我答复。

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的大力支持。

客户有以下问题。 您能给我一个答案吗？

问题 1：
您在上一个回答中说过以下内容。
>建议使用单独的栅极电阻器
>用于并联电阻器、以防止在栅极上产生破坏性高频噪声。

多大的电阻值可以满足这些电阻的要求？ 大约为 2.2 欧姆？

此外、我认为这些电阻器连接应该如下所示。

UCC24612 VG 引脚-> 2.2 Ω-> FET1 的栅极
                 |
                +-> 2.2 Ω-> FET2 的栅极

我这个连接正确吗？

问题 2：
这次、 您给了我以下答案。
>如果您要使用通孔 MOSFET ,请确保
>MOSFET 的组合 RDSon（对于并联 MOSFET）
>请勿低于 3 至 4 mOhm。

这个 R θ 3~4 毫欧是如何计算的？
是来自公式 1、50mV/(62.5A/2) 吗？

问题 3
 你也给了我以下的答案。
>Q2 和 Q3 取决于您选择的 MOSFET、
>如果两者相同、则应存在基本的电流共享。
我认为这机制如下。
我的想法是正确的吗？

1.当更多电流流过 FET1 时、FET1 的温度会升高、而 Rdson 会升高。

2.当 FET1 的 Rdson 增加时、流经 FET1 的电流会降低、而流经 FET2 的电流会增加。

3.当更多电流流经 FET2 时、FET2 的温度会升高、Rdson 会升高。

4.当 FET2 的 Rdson 增加时、流经 FET2 的电流会减小、流经 FET1 的电流会增加。

5.重复 1~4 Ω,所以 FET1 和 FET 2 之间的电流没有太大的差异。

问题 4
从 UCC24612 的 VG 引脚到 FET1 栅极的接线长度是否存在差异
从 VG 引脚到 FET2 的接线长度会导致 FET1 和 FET2 之间的电流差异很大吗？

请你给我答复。

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的大力支持。

您能回答一下客户的问题吗？

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Kazuya：

我明天就会回来 (IST)。

此致、

亚米尼。

尊敬的 Yamini：

我明白了。 我将等待你的答复。

非常感谢、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的大力支持。

我会将您的答案发送给客户。
另外还有一个问题。 我可以提出下面的问题吗？

Q
如果变压器的次级侧是中心抽头型、
他们认为需要两个同步整流器电路。
如果在此电路中进行续流操作（电流流动
每个同步整流器元件中从源极到漏极的电压）、
比例栅极驱动功能是否可能会引起
一个元件要导通、另一个元件要关断？

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Kazuya：

请分享原理图。

此致、

亚米尼。

尊敬的 Yamini：

感谢您的大力支持。

它们还没有详细的原理图。
他们正在考虑将 UCC24612 用于所连接的全桥转换器。

请你给我答复他们的问题吗？

再次感谢大家、此致、
Kazuya.e2e.ti.com/.../FullBridgeWithUCC24612.pdf

尊敬的 Yamini：

请给我答复。

非常感谢、此致、
Kazuya。

尊敬的 Kazuya：

今天是 TI 印度的假日。 我的回复可能会出现延迟。

此致、

亚米尼。

尊敬的 Yamini：

我知道您很忙、但是您能否给我回复、因为我的客户正在等待您的回答？

非常感谢、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

非常感谢您的大力支持。

您是说 UCC24612 可用于其电路吗？

再次感谢大家、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

请给我答复。

非常感谢、此致、
Kazuya。

尊敬的 Yamini：

我认为很难确切地说没有问题。

您以前见过这种方式吗？

目前是否有任何疑虑？

非常感谢、此致、
Kazuya。

您好、

Yamini 已经离开办公室,很快就会回复您。

此致、

Sougata

尊敬的 Sougata：

非常感谢您的答复。

我明白了。 我将等待亚米尼的答复。

再次感谢大家、此致、
Kazuya。