Other Parts Discussed in Thread: BQ25628E
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器件型号： BQ25628E
你（们）好
我们选择了 BQ25628E、它本身不支持 USB D+/D−或 OTG 模式（这是有意的设计选择）。 我们计划使用外部电路来实现 OTG 功能。
如下图所示、整体系统架构的设计使得当需要 OTG 模式时、U39 (BQ25628E) 将通过 I²C Ω 控制置于高阻抗模式。 在此状态下、U39 内的 Q1/Q2/Q3 将关断、而 Q4 将导通。
同时、外部降压/升压转换器 (U37) 会将电压升高至 5V (OTG_5V) 并为外部器件供电。 进入高阻抗模式旨在防止反向电流并避免潜在的环路问题。
以下问题：
1.在图中,蓝色虚线表示实际的物理连接。 当 U39 (BQ25628E) 进入高阻抗模式（以防止反向电流）时、RBFET (Q1) 将关闭。 在这种情况下、Q1 的体二极管是否仍会导通并导致 PMID 通电？
2.进入高阻抗模式时、内部 REGN 被禁用、器件进入低功耗状态。 但是、电池会继续供电。 在这种情况下、是否存在某些电池放电相关功能也可能被禁用的风险？
（出现此问题是因为当器件进入高阻抗模式时，REGN 被禁用。 因此、TS_BIAS 将不再通电、并且基于 TS 的电池温度监控功能将处于非活动状态。 这是否会导致任何异常行为或潜在风险？）
3.是否存在与此系统架构相关的其他问题或潜在风险?
感谢您的支持和帮助。
（所附的原理图是根据下面的架构图快速起草的，仅供讨论。 它不是官方或最终的设计。）
谢谢
