[参考译文] LMG3650R025：并联 2 GaN LMG3650R025

您好、Hai、

我将与我的团队核实 LMG3650 器件并联事宜、然后返回给您。

关于我们的器件、LMG3650 是一款具有集成驱动器的 GaN FET、因此它只需要来自控制器或信号发生器的 PWM 来驱动栅极、因此我们的评估模块没有板载任何栅极驱动器。

为了将 GaN FET 与集成驱动器并联、需要考虑传播延迟、 该器件内置了栅极驱动器、因此驱动器的传播延迟不匹配都会导致器件之间的热不平衡。 首先导通的第一个器件会吸收所有硬开关 Coss 损耗。

此致、

Adithya Ankam

尊敬的 Adithya：

您能否再次与您的团队核实 、根据公共原理图、评估板 LMG3650EVM-113 具有用于顶部和底部 GaN 的完整栅极驱动器、例如没有集成栅极驱动器的正常 GaN/SiC。

关于并联连接、答案是 TI 不建议并联两个 GaN？ 或者、TI 能否提供 您上面提到的解决方案来处理传播延迟？

谢谢你。

你好。

您好、Hai、

我与我的团队进行了检查、发现 LMG3650EVM-113 的设计方式与布局兼容、可用于评估具有集成式驱动器以及其他分立式 GaN TOLL 封装器件的 LMG3650。

我们使用隔离器为高侧和低侧器件提供 PWM 信号、高侧以 SW 为基准、因此我们有一个隔离器、用于提供信号及其各自接地端的基准、此外隔离器将确保电源接地端和信号接地端被隔离、因此这些信号不受 GaN 的高 dV/dT 等的影响

此外、请说明并联的 FET 是硬开关还是软开关、我们可以相应地推荐并联指南。

此致、

Adithya

您好 Adithya、  

我们希望将此 GaN 用于硬开关应用。 您能否建议如何将它们与详细的栅极驱动器系统以正确的方式并联。

谢谢您、

你好。