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[参考译文] UCC28C56H：用于 MOSFET 和次级二极管的散热器

admin
Guru**** 2867040 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC28C56H

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1639162/ucc28c56h-heatsink-for-mosfet-and-secondary-diode

器件型号： UCC28C56H

您好：

我在 100W 设计中使用 UCC28C56H、采用反激式拓扑。 我将使用 2 个散热器：

  1. 用于穿孔功率 MOSFET
  2. 用于穿孔次级侧二极管

散热器是否应连接到相应的接地端、接地端或以其他方式连接？

我的用例将是：

a.带金属外壳

B.带塑料外壳

TI 是否有任何其他使用散热器的参考设计可供我参考？ 或任何指明了相关指南的应用手册？

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    TI__Guru**** 2867040 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Purvi：  

    是的、通常建议将散热器接地以缓解辐射 EMI。  

    如果 MOSFET 散热焊盘连接到漏极（开关节点）、需要确保在散热焊盘和散热器之间使用某种类型的热界面材料 (TIM)。 如果二极管的散热焊盘连接到开关节点、则需要执行相同的操作。  

    您可以参考 UCC28C56EVM、它为初级侧 MOSFET 使用接地散热器。  

    谢谢、

    John

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    TI__Guru**** 2867040 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Purvi：  

    是的、通常建议将散热器接地以缓解辐射 EMI。  

    如果 MOSFET 散热焊盘连接到漏极（开关节点）、需要确保在散热焊盘和散热器之间使用某种类型的热界面材料 (TIM)。 如果二极管的散热焊盘连接到开关节点、则需要执行相同的操作。  

    您可以参考 UCC28C56EVM、它为初级侧 MOSFET 使用接地散热器。  

    谢谢、

    John

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    TI__Guru**** 2867040 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    John 您好、我找不到 UCC28C56EVM 的设计文件。 您能帮我解决这些问题吗？

    谢谢！

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    TI__Guru**** 2867040 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Purvi：  

    您可以参阅 UCC28C56EVM 产品页面上的用户指南 —  https://www.ti.com/lit/ug/sluucn1c/sluucn1c.pdf?ts = 1776973609498&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Ftool%252FUCC28C56EVM-066

    然后 、您可以参考图 6-1、其中显示了布局。 Q5 是具有接地散热器的主 FET。  

    谢谢、

    John

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    TI__Guru**** 2867040 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John：

    我浏览了文档并有一些疑问。

    1.为什么 H2 的红色针脚没有接地? （蓝色引脚接地）

    2. MOSFET (SCT1000N170) 的漏极（热片）连接到高电压 (800V ),散热器连接到 GND。 在中间、 我使用厚度为 2mm 的热界面材料 (GP1500-0.080-02-0816)。 PD3 (6.5mm) 如何实现隔离？

    同样、对于次级侧、二极管散热焊盘 (STPS61150CW) 连接到 24V、散热器接地 (ISO GND)。 在中间、我们使用厚度为 2mm 的热界面材料 (GP1500-0.080-02-0816)。 如何实现 PD3 (1.2mm) 隔离？

    3、散热器接地的实际用例（用于 EMC 目的）:

    a.如果我没有将初级 GND 和 ISO GND 接地、如何将散热器连接到外壳接地端？

    b. 如果初级 GND 和接地已连接、但 ISO GND（次级侧）未接地。 如何连接初级和次级散热器并保持正确的隔离？

    c. 初级 GND 和接地端未连接、但 ISO GND 连接到接地端。 如何连接初级和次级散热器并保持正确的隔离？

    谢谢！

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    TI__Guru**** 2867040 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Purvi：  

    我们 没有确切的答案来说明为什么要做出这种设计选择。 但是、我们可能推断出、这是由于  从电流检测电阻到 MOSFET 源极之间需要较大的导通路径。  

    [引用 userid=“557779" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1639162/ucc28c56h-heatsink-for-mosfet-and-secondary-diode/6322601

    我的 MOSFET (SCT1000N170) 的漏极（热片）连接到高压 (800V)、散热器连接到 GND。 在中间、 我使用厚度为 2mm 的热界面材料 (GP1500-0.080-02-0816)。 PD3 (6.5mm) 如何实现隔离？

    同样、对于次级侧、二极管散热焊盘 (STPS61150CW) 连接到 24V、散热器接地 (ISO GND)。 在中间、我们使用厚度为 2mm 的热界面材料 (GP1500-0.080-02-0816)。 PD3 (1.2mm) 如何实现隔离？

    PD3 是什么意思？

    如果我没有将主 GND 和 ISO GND 接地、如何将散热器连接到外壳接地？

    您必须查看应用此方法的商用电源的示例。 我们的 EVM 不适用于商业用途、因此我们不实现这种类型的接地。  

    b.  如果初级 GND 和接地已连接、但 ISO GND（次级侧）未接地。 如何连接初级和次级散热器并保持正确的隔离？[/报价]

    实际上、不需要将任何散热器接地。 出于辐射 EMI 目的、我们将散热器接地至系统接地端、这样电容电流就有一条返回路径、不会从散热器辐射出去、从而形成大型天线。  

    关于你对隔离的评论、我不理解。 如果将初级接地连接到大地、并且与次级接地不执行任何操作、则会保持隔离。

    [quote userid=“557779" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1639162/ucc28c56h-heatsink-for-mosfet-and-secondary-diode/6322601  初级 GND 和接地端未连接、但 ISO GND 连接到接地端。 如何连接初级和次级散热器并保持正确的隔离？[/报价]

    此处也有相同的注释 — 保持隔离。

    谢谢、

    John