[参考译文] CSD87350Q5D：完全符合 RoHS 标准

您好、Sam、

感谢您在客户处促销 TI FET。 不幸的是、如果没有豁免 7(a)、我们便没有合适的替代品。 这些器件使用引线焊料进行芯片连接、这是最可靠且最具成本效益的器件。 TI 没有替代的无铅芯片贴装焊料、也没有计划更改这些器件的材料成分。 如对原始问题的答复中所述、您包括：

德州仪器获悉豁免 7 (a) 的最早到期日期为 2026 年 12 月。 如果此日期未延长、则 TI FET 产品线无替代器件。 与许多 MOSFET 制造商一样、TI 也使用 Pb 进行无铅裸片焊接。 PB 用于将芯片连接到引线框上、因为它可实现最具成本效益、最可靠和最优电气性能。 以下是指向其他信息的一些链接。

https://www.ti.com/support-quality/faqs/environmental-information-faqs.html

https://www.ti.com/lit/ml/szzq077g/szzq077g.pdf

以下是我同事的意见：

• 以下器件可享受 7 (a) 豁免。  欧盟通知未说明其将在 2026 年 12 月到期时停止豁免。  目前的通知草案建议、非次豁免措辞的最早截止日期为 2026 年 12 月（目前格式）： RoHS 豁免 7(a)-目前格式： “高熔化温度型焊料中的铅（即含重量 85%或更多铅的铅基合金）“和次豁免版本的最早截止日期为 2027 年 12 月。
• 建议的子豁免表的建议到期日期为 2027 年 12 月。  建议的次级豁免备选方案示例如下：

用于以下应用（豁免范围 24 中的除外）时、高熔化温度型焊料中的铅（即含 85%或更多铅的铅基合金）：

• • i) 用于在半导体组件中连接裸片或其他元件以及裸片的内部互连、稳态电流或瞬态/脉冲电流为 0.1A 或大于 10A、阻断电压超过 10V、或者裸片边缘尺寸大于 0.3mm x 0.3mm
  • II) 对于电气和电子元件中芯片连接的整体（即内部和外部）连接、如果固化/烧结裸片连接材料的导热性>35W/（m*K）且固化/烧结裸片连接材料的导热性>4.7ms/m 且熔化温度必须高于 260°C
  • iii) 在制造元件的一级焊点（内部或整体连接-指内部和外部）中、以便随后用二级焊料将电子元件安装到组件（即模块或子电路板或基板或点对点焊接）上时不会回流第一级焊料。 此项目不包括模具连接应用和密封密封
  • IV) 在二级焊点中、用于将组件连接到印刷电路板或引线框：1. 将焊球用于连接陶瓷球栅阵列 (BGA) 2. 用于高温塑料超模压成型 (> 220°C)
  • V) 作为密封材料介于：1. 陶瓷封装或插头和金属外壳、2. 元件终端和内部子部分
  • VI)、用于在白炽反射灯中的灯部件之间建立电气连接、用于红外加热或高强度放电灯或烤箱灯
  • VII) 适用于峰值工作温度超过 200°C 的音频传感器
• 半导体行业没有适用于 RoHS 豁免 7 (a) 的备选 PbFree 解决方案、因此欧盟必须将豁免延长到 2027 年 12 月以后、通常将延长 5 年。
• 由于几个财团反对将这种做法分为次豁免、我们希望欧盟不会要求这样做。  但是、万一欧盟仍然坚持保留子豁免草案、TI 产品将适合子豁免 (i)；因此、如果需要、可以将其归类为 7 (a)-I
  • 用于以下应用（豁免范围 24 中的除外）时、高熔化温度型焊料中的铅（即含 85%或更多铅的铅基合金）：
  • i) 用于在半导体组件中连接裸片或其他元件以及裸片的内部互连、稳态电流或瞬态/脉冲电流为 0.1A 或大于 10A、阻断电压超过 10V、或者裸片边缘尺寸大于 0.3mm x 0.3mm

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用