[参考译文] LM7480-Q1：在输出电压下使用 parralel MOSFET /负峰值

您好，弗洛里安

请参阅下面我的输入内容，

1.  是否有任何东西可以防止 DGATE/HGATE 并行驱动两个 MOSFET？

LM74800-Q1并行驱动多个 MOSFET 不存在问题。  鉴于 DGATE 的栅极驱动强度是固定的，随着 MOSFET 数量的增加，接通时间会稍微增加一些。 除非 LM74800-Q1应执行 AC 叠加信号校正，否则这不应引起关注。   根据 AC 叠加信号的最大频率，我们可以确定 LM7480-Q1在执行主动整流时可以驱动多少 Ciss (对应于 FET 数量)。或者更深入地了解本主题， 请参阅“适用于汽车应用的交流电压脉动的理想二极管控制器：LM7480-Q1和 LM7481-Q1”应用说明。

2.对于这些平行 MOSFET，您建议采用哪种尺寸的 VCAP？

VCAP 选择过程在数据表中描述，如以下快照所示，

根据该过程， 4x FDMS86180所需的最低 VCAP 为248.6 nF。 最近的标准上限值为330 nF。

3.简单肖特基是否足以保护其在 V_OUT (PMEG6020ER)时免受负峰值的影响？ 我正在考虑在 V_OUT 的引脚处添加某种可选的 RC 滤波器以进一步保护它。

输出时使用的肖特基二极管应该具有：

• 直流阻塞 电压额定值远高于 Vinmax
• 非重复峰值浪涌电流额定值> 最大负载电流(或短路保护阈值，如果系统中有任何其他保护电路，在检测到短路时关闭电源通道-这也适用于以下点)
•  最大负载电流时的夹持电压应小于-0.3V。  (由于瞬变时间很短，您可以考虑使用肖特基， 该肖特基在最大负载电流下的夹持电压~ 0.8V)

是的，您可以使用一个位于 OUT 引脚的 RC 来提供额外保护，但要确保使用的 R 电阻小于100欧姆。

4. 还计划用100k 将 EN/UVLO 拉至 VS 以始终启用设备，您是否会建议使用不同的电压电位？

是的，您可以直接或通过100千欧电阻器将 EN/UVLO 引脚连接到 VS 引脚。  

很抱歉耽误您的回答。

您好，Praaveen，
感谢您的详细回答。
当时，我的所有问题都得到了解决！