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[参考译文] CSD25304W1015：MOSFET Vgs 最大

admin
Guru**** 2379970 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25304W1015, CSD25211W1015
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1066236/csd25304w1015-mosfet-vgs-max

部件号：CSD25304W1015
“线程”中讨论的其它部件： ABS， CSD25211W1015

嗨，我使用 MOSFET 作为开关，作为连接电路，输入为0V 时 MOSFET 打开，输入为12V 时 MOSFET 关闭。

我有一个问题，数据表提到 Vgs Max 是+/-8V，我的电路中的 Vgs 在输入电压为0V 时将是-12V。 这是否意味着有损坏 MOSFET 的风险，在这种情况下，输入电压应该是安全的？

请发表任何评论。

 

CSD25304W1015

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    TI__Guru**** 2379970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，艾伦，

    感谢您对 TI FET 的关注。 超出 ABS VGS 的最大额定值可能会损坏 FET，TI 无法保证其可靠性。 切勿超过 MOSFET 数据表中指定的绝对最大额定值。 您需要修改设计以限制最大 VGS。 例如，您可以添加一个从门到源的齐纳二极管来夹紧 VGS <=+/-8V。 您可以与我共享您的模拟文件吗？ 我们还有另一台设备，CSD25211W1015，其占用空间相同，包括一个栅源 ESD 二极管，其行为类似于6.3V 齐纳二极管。 我想用该设备运行一些模拟。

    此致，

    约翰·华莱士

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    TI__Guru**** 2379970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨，John，非常感谢您的回复，我在 模拟中加入了 CSD25211W1015，但看到波形出现了峰值，您能看看如何避免。

    附加的是模拟文件，我们有另一个电路 MOSFET 工作电压为24V，我在 S 和 G 门之间放置了19V 齐纳，以避免 VGS 超过20V 限制。

    请提供帮助建议，以了解电路中是否存在任何问题。

    e2e.ti.com/.../KVM.zip

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    TI__Guru**** 2379970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，艾伦，

    我将看看你们的模拟。 我认为避免超过 ABS 最大 VGS 的最佳方法是在浇口和源之间添加齐纳二极管。 CSD25211W1015集成式栅极 ESD 二极管在产品开发过程中具有特征，但未在连续操作期间用于夹紧栅极电压的应用中进行测试。 因此，我认为最好继续使用 CSD25304W1015，并在浇口和源之间添加齐纳二极管。

    此致，

    约翰

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    TI__Guru**** 2379970 points
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    约翰，你好，明白了。G 和 S 门之间需要使用齐纳二极管来夹住 VGS。 非常感谢。