“线程”中讨论的其它部件: CSD13380F3
激光的参数如下所示。
我想使用 CSD16302Q2来切换到这台激光器。
有没有解决方案?
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激光的参数如下所示。
我想使用 CSD16302Q2来切换到这台激光器。
有没有解决方案?
你好,Wu Shi,
感谢您对 TI FET 的关注。 CSD16301Q2适用于您的应用,但根据激光二极管的规格,它可能会因电流而过载,最大120mA。 您是否将 FET 用作低侧负载开关,且电源接地? 或者,它是一个高侧负载开关,源是浮动的? 低侧开关更易于驱动,因为需要将安全门高推以打开 FET。 对于高压侧,必须将安全门驱动在高于电源(排放)电压的位置才能打开 FET。 我们在以下链接中提供了基于 Excel 的负载切换工具。 您可以输入您的要求,并在功率损耗,封装和价格方面比较多达3种不同的 TI FET。 我假设您的输入电压为5V,门驱动电压为3V。 CSD13380F3,12V FemtoFET 看起来可能很适合。 这些是不带塑料包装的小型 LGA 芯片级设备。 这是一种硅芯片,带有用于互连的地。 我们还有许多其他可行的方案。
https://www.ti.com/tool/LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC
此致,
约翰·华莱士
TI FET 应用
你好,Wu Shi,
CSD16301Q2可以使用 VDS =1.2V 运行。 但是,在测试并指定接通电阻的情况下,最小栅极源电压为 Vgs = 3V。 在此情况下,TI 无法保证 FET 的接通电阻。 此外,最大指定阈值电压 Vgs (th)= 1.55V,大于1.2V。 您需要 Vgs >= 3V 来保证 CSD16301Q2的运行。 CSD13380F3的接通电阻指定为 Vgs = 1.8V,这是我们所有 NFET 设备的最小值。 我们确实有 PFET 器件,其接通电阻额定值低至 VGS =-1.5V。
此致,
约翰