[参考译文] LM2745：最大接收器/源电流

安布罗西·苏特 

LM2745使用基于电阻 MOSFET 的驱动器输出级。  电阻在数据表中提供：  

关键 MOSFET 转换期间的主动驱动电流将取决于从栅极驱动电压中减去的 MOSFET 平台电压，而关键转换正时将取决于 MOSFET 栅极漏电荷，而不是 MOSFET 栅极总电荷， 由于栅极总电荷的很大一部分发生在通气前和通气后，在切换节点转换之前，很少电流流经 MOSFET，或者在开关节点转换后，当 FET 上的下降较低时，发生栅极总电荷。

对于为5V 栅极驱动设计的典型“逻辑电平”MOSFET，平稳电压将为1.5-2V，LM2745将具有1.1-1.5A 的上拉驱动强度和2.5A 的下拉强度。

如果您需要帮助识别 MOSFET 的栅极转换电荷，如果您可以提供部件号或链接数据表，我可以为您提供帮助。

安布罗西，

当 MOSFET 承载高电流并同时桥接大电压时，在 MOSFET 的关键转换时间内，栅极驱动电流约为：

MOSFET 开启期间：(Vgatedrive - VPlateau)/(Rdriv_pullup + Rext + Rgate)

在高侧 MOSFET 关闭期间：(VIN/2 + VPlateau)/[(Rdriv_pullddown + Rext + Rgate)](见下文)

低侧 MOSFET 关闭期间： (VPlateau)/(Rdriv_pullddown + Rext + Rgate)

ext 是与栅极驱动串联的外部电阻，包括与启动引脚串联的电阻。

由于高端驱动器在高压侧关闭过程中直接降至接地，当 MOSFET 转换时的初始关闭电流可能会非常高，因为 FET 的源仍非常接近 VIN，但当栅极放电时，栅极至接地电压会下降。  我们可以将平均值近似为 VIN/2 + VPlateau

您还会注意到，驱动程序不对称，大约有2.7Ω Ω 上拉和0.8Ω Ω 下拉。  原因有多种：

1)下拉式中使用的 N 通道 MOSFET 具有更高的移动性，因此每单位面积的 RDSon 比 P 通道上拉式更低。

2) VPlateau 通常低于 Vgatedrive/2，因此在关闭期间，可用的驱动电压通常比打开时要小。

3)在互补 FET 的开启过程中，当开关节点快速摆动时，MOSFET 的栅极漏电电电电容将驱动电流进入 MOSFET 的栅极，而栅极必须通过下拉释放，以防止 MOSFET 意外的 DV/dt 接通和可能的交叉传导。  为了帮助降低风险，通常建议选择栅极漏电电容低于栅极源电容的 MOSFET。

嗨 Peter，

感谢您的详细回复！  

此致，

安布罗西