[参考译文] LM5176-Q1：LM5176-Q1

你好，Kaswan-San，

感谢您在设计中使用 LM5176-Q1。  选项3可能更有效，因为它直接影响驱动程序速度，从而有助于降低 dv/dt 和 di/dt。  但是，有一个 UV 检测电路可实时监控启动到 SW 电压，并且在该电路中插入的电阻 器可能会触发假 UV 检测并中断操作。  是否可以在 HDRV 和 MOSFET 栅极之间插入一个小电阻器？ 您可以将一个二极管与电阻器平行，选择降低门脉冲的一个边缘而不是另一个边缘的速度，然后测试哪种方法可以获得更好的结果。  请注意，在将电阻器插入 MOSFET 栅极时，您还应检查同一开关支脚上高侧和低侧 FET 的 Vgs，以确保不会有射向。

您还可以检查频率抖动是否有帮助。

谢谢，

您好

您好，Youhau，

选项3表示 Rboot 与电容器串联  

请与我们保持一致。

根据您的建议，我们在 HDRV1与栅极， HDRV2与栅极， LDRV1与栅极， LDRV1 与栅极之间设置了15欧姆电阻   

请分享一条电路，我们如何以15欧姆电阻并行连接二极管

谢谢

是的，栅极电阻器应插入上述 IC 驱动器引脚和其 MOSFET 的栅极之间。  但是，作为初始值，15欧姆的声音太大。  您可以2~5欧姆吗？

对于并联二极管，我们通常在 MOSFET 栅极处有阳极，在驱动器引脚处有阴极，但您可以尝试反向使用每个二极管来查看结果是否更好。   最重要的一点是，要注意死机时间，以防止穿射。

谢谢

您好

很抱歉，我忘了说： 二极管是可选的。 首先尝试使用电阻器。 由于使用栅极电阻器，二极管可以帮助弥补一些死时间损失。

谢谢，

您好