[参考译文] TPS40210-Q1：MOSFET 加热故障

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1072544/tps40210-q1-the-trouble-with-mosfet-heating

部件号：TPS40210-Q1
“线程：TPS40210”中讨论的其它部件

您好，

最近，调试 TPS40210时发现 MOSFET 温度非常高，温度上升到大约80°C (VIN=12V，VOUT =90V，无负载)。所有电阻和电容参数均根据 WebBench 功率设计师进行计算。有谁能帮助分析问题是什么？

随附的是原理图和 PCB 文件

e2e.ti.com/.../01_5F00_HV-supply.pdf

e2e.ti.com/.../driver.PcbDoc

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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嗨，Suy，

在此情况下，您可以尝试测量开关节点(L1/D1/Q1连接点)，FET 的栅极和 R8上的电压，并发送示波器图片。

注：为90V 输出提供100V 额定输出电容器非常接近边界。对于盖子，我建议电压至少有40%的利润，以确保在考虑温度和老化的情况下节省操作。

此致，

斯特凡

0 admin 2 年多前

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斯特凡，你好，

感谢您的回复！

以下是 MOSFET 的开关节点，栅极，R8：上的电压

0 admin 2 年多前

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嗨，Suy，

FET 的关闭看起来很慢。这可能会导致在这一切换阶段功率消耗更高。

您可以尝试添加一个与 R4平行的二极管(FET 上的阳极)。这将有助于快速关闭 FET。

此致，

斯特凡

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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您好 Stefan，ö m

根据您的建议，我在 R4上并行连接了一个二极管，但热量没有提高，MOSFET 温度在无负载条件下迅速上升到60℃。在高负荷循环条件下，TPS40210的驱动能力是否不够强？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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嗨，Suy，

只是为了确保添加二极管后，您是否看到并改进了浇口的下降边缘。

此外，从第一个示波器图中看，开关节点的电压级别似乎达到了100V，这超出了我的预期，同时也达到了 FET 和电容器的最大限值。请考虑此组件的足够利润。

请检查。

您还可以放大和测量上升和下降边缘的浇口过渡时间吗？

您还可以将其与正常负载条件进行比较吗？

在正常工作条件下，您测量的 FET 温度是多少？

此致，

斯特凡

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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您好 Stefan ，ö m

正确的是，在我用 BSZ520N15NS3替换 FET (VDS 最大为150V)后，电路的总功耗将大大降低，并且在无负载的长期操作下，FET 温度仅为50°C。
非常感谢您的帮助！

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