[参考译文] BQ78350：原理图检查

库珀，您好！

观察到电压差时，是否有较大的充电或放电电电流？ Pack+的充电电压是多少？

此致，

马特

嗨，Matt：

我仍然希望在讨论具体问题之前确认示意图是正确的。 我发送的是主板示意图，包括 BQ78350，BQ76920和充电 IC。

对于电压差问题，

我没有连接负载，只是将四块电池连接到主板上，

主板将四块电池转换为5V 和3.3V，为核心板供电，

子板，CPU+PMU+内存，

看看电路，Pack+是否连接到蓄电池的正极，Pack-是否连接到系统的主接地？ 蓄电池的负极通过两个 MOS 连接到系统的主接地。

库珀，您好！

我认为问题可能是，您在将 smbd 和 SMBC 引用到 VSS (BAT-)时，应该将它们引用到 Pack-。 有关如何连接这些设备的示例，请参阅 TIDA-00792。 https://www.ti.com/tool/TIDA-00792 

此线程让您深入了解为什么要在以下通信上引用 Pack： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823905/bq76930-bat---or-pack---or-other-ways-to-connect-gnd

我在您的示意图中注意到与此问题无关的其他一些事项：

• 如果未使用 BQ78350 COM 针脚，则不应连接该针脚。 请参阅数据表针脚表。
• 对于新设计，建议使用 BQ78350-R1A (而不是 R1)。 R1A 预装了最新版本的固件。
• C118的底部应连接到 GND (而不是 VC0)。 但这不应该是一个大问题。
• 如果使用单元平衡，齐纳二极管(D17，D19，D20，D21)可能会导致问题，因为它们是5.6V。

此致，

马特

Matt：

问题1：

下图显示了我们的第一个问题。 CPU 和 BQ78350之间存在通信问题。 我们发现 SMBC 的低水平高于正常范围。  无法保证 CPU 和 BQ78350之间的通信

问题2；

以下电路和_GND 和 DIG_GND 根据 TI BQ766920的开发板进行连接。 如果两个 GND 之间存在电压差(TI 演示也有电压差)，如何确保 BQ78350和主芯片之间的通信？

库珀，您好！

我认为我看到了你的问题。 与 SMBus 通信的 U47被称为 Pack-，但 BQ78350和二极管被引用为 BATT-. 这将是一个问题，特别是当 FET 由于保护触发而打开时。 如果 FET 打开，除非您在这两个设备之间有隔离器，否则您将失去通信。 如果 U37位于包装内，则它应参考与其它 IC 相同的接地。

您认为正确，EVM 确实引用了 BATT，因为它使用了低端 FET。 TIDA-00792使用 Pack-作为参考，因为在该设计中使用了高端 FET。  

此致，

马特

由于对原理图没有任何疑问，让我谈谈具体的问题。

本项目是由4节电池组成的系列产品。 当我测量到设备 U47上 SMBus 相对于 DIG_GND 的电压值时，我发现当机器中安装了4块电池时，SMBus 到 DIG_GND 的电压值为正常0V，

卸下一个电池且仅将三个电池放入电池中时，SMBus 的数字接地端为-2V（至-5V），负压将损坏转换芯片 U47。

我的理解是，当电池电量减少一个时，BQ73850无法正常工作，因此 DSG_EN 未打开。 ANA_GND 和 DIG_GND 已断开连接，但 MOS Q13 Q14会导致两侧接地连接，并出现负压状态。

问题如下：

1. BQ73850的配置是否有问题？

2.如何解决两个 GND 之间的负电压问题？ ，

3.短路的 ANA_GND 和 DIG_GND 可以直接解决负电压问题，但这种设计是否有问题？

Yabin 您好，

如果 BQ78350配置为4节电池(AFE 电池映射寄存器设置)，则更改为3节电池可能会导致设备触发欠压或基于电压的关机。  

但是，DSG FET 应该打开以保护电池，因此即使 DSG FET 打开，您仍希望通信能够继续进行。 在这种情况下，SMBus 需要某种类型的隔离器芯片，或者可以使用高端 FET，这样 DSG FET 开口就不会断开通信。

此致，

马特

您好，Matt，

是的，我们计划稍后更改原理图以使用高端 FET，但现在我们需要修正电路的当前版本。

正如您所说，现在我们已经设置了4节电池，如果只放置了3节电池，BQ78350是否可以主动关闭 FET_EN？ (如图所示，我们在设置中打开了 FET_EN)我一直怀疑我们的设置有问题。

很抱歉，我打算让 FET_EN 始终保持开启状态，这样两个 GND 的级别就可以保持不变。
或者，您是否可以推荐相关的隔离器芯片？
或者，如果我使用飞线将两个 GND 连接在一起，该怎么办？

Yabin 您好，

您是否已检查了 AFE 单元配置寄存器的设置？ 这应反映连接的单元格数量。

此致，

马特

您好，Matt

你是说，我现在设置了4个单元格，但我可以在阻止1个单元格，2个单元格和3个单元格时打开 MOS，以便两个 GND 连接在一起？ 或者需要添加隔离设备以确保负电压不会影响 CPU 端的电路？我没有找到寄存器，请提供特定的 reg 和文档。
如果我放了4节电池，1节电池为2V (异常电池)，另外3节电池为4V (正常电池)，我的理解是78350应该同时断开两个 GND，以确保系统无法启动。 在这种情况下，负电压是否仍不可避免？

Yabin 您好，

在   TRM 中搜索 AFE 单元配置寄存器。 以下是文档 ：https://www.ti.com/lit/ug/sluuc78/sluuc78.pdf 

必须根据所使用的单元格数配置此寄存器。  

此致，

马特

您好，Matt

 我理解您的意思，我知道本文档并根据本文档进行配置。 因此，在放置4块正常电池后，系统正常。

但问题是，总共有4节电池串联连接，电池一个一个放置。 因此，当电池与1，2和3个电池放在一起时，SMBus 线 的 CPU 端接地端的电压状态将为负。  这种负电压现在似乎损坏了 U47芯片。 所以我一直在努力的是如何防止这种负电压 损坏芯片。

因此，已知的措施是使用 Plan1。对 SMBus 使用某种类型的隔离器芯片，Plan2使用高侧 FET。 还有其他解决方案吗？

由于 BQ769200的 EVM 使用了低侧 FET，因此不应存在导致设备损坏的负压问题。

您好，Matt，ñ o

请帮助我们检查地图设置。 图片中的设置是否与示意图相对应？ 奇怪的是，我们认为这是正确的，但事实上，软件同事告诉我，他只能读取 VC1-VC2-VC3-VC4的电压，而不能读取 VC5的电压

Yabin 您好，

如果连接了4个单元格，这些设置是正确的。 这指定 BQ76920显示器的哪些针脚连接到单元格。 如果删除其中一个单元格(仅设置3个单元格)，并且不更改这些设置， 然后一个单元将测量0V -这将触发欠压故障(如果启用了欠压)，并将触发基于电压的停机(请参阅您的停机电压寄存器设置)。 欠压保护将导致 DSG FET 打开，关闭将导致两个 FET 打开。

当 FET 打开时，您将失去接地之间的连接。

此致，

马特

您好，Matt。ñ o

我发现原理图上存在电路连接差异，参考设计中的 R61和 R62在两个系统之间串联连接100欧姆，而我们的原理图则在接口上放置了两个 TVSS。 此位置是否可能导致负压损坏 CPU 端？ 是否可以增加这两个电阻器以防止损坏 CPU 端接口？

Yabin 您好，

正如我在本线程前面所解释的，存在一个问题，因为 U47被引用到 Pack-，当 FET 被禁用时，这将失去与 BATT 的连接。 因此，您的 CPU 正在失去接地连接，这是一个问题。 在这种情况下，您需要使用隔离器设备或使用高端 FET。

此致，

马特

您好，Matt，ñ o

明白了，您是否有推荐的隔离装置？

Yabin 您好，

Tida-01093 (https://www.ti.com/tool/TIDA-01093 )在其中一个电池监视器的 I2C 上使用隔离器设备。 我不太熟悉隔离器部件，因此您可能需要在 TI.com 上搜索以查看是否有更新的选项。  

此致，

马特