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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1076033/bq25883-bq25883-bootstrap-capacitor
大家好，我们正在使用 BQ25883设计一个应用程序，但我对 SW 和 BTST 引脚之间的47nF bootstrap 电容器有疑问。 由于这是 PCB 上唯一的47nF 部件，我想知道用100nF 电容器代替它是否可以接受？ 同样，我是否可以将4.7uF REGN 旁通电容器增加到10uF 陶瓷，而不会产生任何不良影响？
Zac 您好！
增加 REGN 旁路电容正常。
增加 BTST 也应该是，但我将在 EVM 上验证这一点，我会再回来。
此致，
查尔斯·哈恩
查尔斯，您好，感谢您的确认。 增加 REGN 电容肯定有助于简化 BOM。 感谢您采取步骤验证 BTST 电容，并等待您的确认。
根据我的测试，增加 BTST 电容会影响设备的切换频率。 该数据表为0.047uF 的 BTST 电容器进行了规格说明，因此该数据表不符合规格，因此我们无法保证性能。 您可以参考数据表第69页，了解更改切换频率如何影响设备。
再次感谢查对，查尔斯。 根据这些信息，我们将坚持47nF 的建议。
