[参考译文] BQ78350-R1：放电电流≥DSG 电流阈值问题时 CHG FET 无法打开

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部件号：BQ78350-R1
“线程”中讨论的其它部件：BQ76200，

您好 TI 团队，

我们使用 BQ78350-R1+BQ76400+BQ76200作为14S BMS (DSG 和 CHG 不同路径)，并使用通过当前校准进行缩放。

在这里，我们发现了一个问题，当电池组放电20A，电池温度达到 OTC (50度 C)保护时，CHG FET 关闭

即使在这种情况下：放电电流≥DSG 电流阈值(如 TRM 3.1所示)。

我们是否需要改变或修改任何设置？

谢谢，致以诚挚的问候，

詹姆斯

0 admin 3 年多前

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你好，詹姆斯，

BQ78350-R1不是以不同的 CHG/DSG 路径为设计理念，它支持系列 FET 配置。不同的 DSG/CHG 路径不是它的预期配置。

如果有足够的电流仍流经感应电阻器，则可以绕过任何会禁用 FET 的保护装置。这将启用由于身体二极管保护功能而禁用的 FET。这不可能被禁用。不同路径配置通常完全禁用身体二极管保护功能。

OTC 只能在充电期间发生，因此我觉得在放电期间发生是很奇怪的，您确定它不是 OTD 触发的？这将不允许任何放电流流经。有关温度保护的进入/退出条件，请参阅 TRM 的3.7节“温度保护”。

此致，

路易斯·埃尔南德斯·萨洛门

0 admin 3 年多前

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你好，路易斯，

非常感谢您的快速回复。

再次检查后，由于 OTD 也处于活动状态，CHG FET 未打开，并停止 DSG 和 CHG。但由于温度仍处于 OTC 状态，因此即使没有充电，CHG FET 仍处于关闭状态。这对我们来说不是问题。很抱歉条件不好。

再次感谢，致以诚挚的问候，

詹姆斯

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