[参考译文] LM5176-Q1：lm5176功耗的计算方法

你好！   斯特凡！

感谢您的回复！

据我了解，lm5176的功耗包括 VIN 和 VCC 的功耗总和。 VIN 可由 VBIAS 电源取代。 VIN 用于驱动芯片内的低端磁场管和逻辑电源，而 VCC 主要用于驱动高端磁场管。 根据什么电流计算 VIN？ 它的工作电流是否符合 IQ 中的 VIN？ 最大4mA？ 射野光管的电流为 ihdrv1.2和 ildrv1.2电流？您能否提供计算公式和参数？它是否根据下图中箭头所示的电流参数进行计算？

您好，Sheng，

VCC 用于驱动低端驱动器，如数据表下图所示：

高压侧的电源由 SWX 和 BOOTx 上的小型外部充电泵(二极管/ C)产生

此致，

 斯特凡

你好！   斯特凡！

您可以列出特定的计算公式吗？

内部线性稳压器消耗的最大电流是多少？ 如何确定这一点？如下图所示，它是4mA 还是65mA？ 或多少电流？

上述逻辑工作电流是根据4mA 计算的？如果使用 VBIAS 代替 VIN，则电流是多少？

您好，Sheng，

电流相同，但线性稳压器中的损耗会不同。

请不要对 Vcc 进行监管  

这意味着线性稳压器(输入电压或偏置侧)上的电压乘以电流将 在设备中显示为损耗。

这取决于使用的路径和电压水平。

此致，

 斯特凡

你好！   斯特凡！！

如下图所示，lm5176驱动部分的功耗是根据图中的电流和电阻计算的？ P=I2R？lm5176的驱动功耗如何区分满载和空载输出？

您好，Sheng，

不确定您的问题。

外部 MOSFET 的输出驱动器不会在不同的负载条件之间分布。 设备会调整门驱动器信号的占空比。

此致，

 斯特凡

你好！   斯特凡！！

下图中的是如何计算上部和下部光管驱动电路的功耗？

你好！   斯特凡！！

下图中的 PD 如何计算？ 我使用 TI 官方网站的设计功能来获得功耗。

你好！   斯特凡！！  

VDD 是内部线性稳压器的输出电压吗？

内部逻辑功耗 P =(VIN-VCC)* lm5176的 IQ (4mA)计算？ 如果我使用 VBIAS 作为输入电压，内部逻辑功耗 P =(vBIRE-VCC)* IQ 计算？ 当前 IQ 电流值是多少？ 注：VCC 是内部线性稳压器的输出电压。

Q2磁场管的驱动电压是内部线性稳压器(7.35v)的输出电压。 Q1磁场管的驱动增压电压是多少？

您好，Sheng，

您是正确的 Vdd，Vcc 在此对话中是相同的。 (只是我获取这些信息的来源使用了不同的名称)。

因此，Vdd 是电脑控制器的输出。

是的，如果使用了 VBias，则需要在上述公式中使用 VBias 替换 VIN。

IQ 独立于 VBias 或 Vin (只要电压高于 Vcc)。

Q1的电源由 boot1和 sw1之间的小型充电泵产生

此致，

 斯特凡

你好！   斯特凡！！

我可能理解芯片功耗的计算方法。 现在让我来计算，请帮助确认它是否正确。

电源的设计输入电压为8 ~ 36V，但通常为24V 输入，因此输入电压 Vin = 24V，输出电压为12V / 12A。

在大多数情况下，电路在降压模式下工作，因此我首先根据降压电路模式计算芯片功耗。降压电路中使用的磁场管是 csd18532q5b。 他的 Qg = 44 nc。

根据降压计算：(QG_Q1 + QG_Q2)* FSW * VIN，PD =(4 * 44 * 10 ^- 9)* 400 *(10 ^ 3)* 24 = 1.689w。（FSW = 400K）

总功耗 Pt =逻辑电路功耗+驱动电路功耗。 PT=((VBIAS-VCC)*IQ )+1.689=((12-7.35)*4*10^-3)+1.689=1.707W。根据芯片手册，IQ =4mA

然后，降压模式下芯片的功耗为1.707w。 这是对的吗？

你好！   斯特凡！！

根据我的上述电路设计，开关 MOS 管和飞轮 MOS 管的降压电路分别并行使用两根 MOS 管。 在计算功耗时，不要考虑四支 MOS 管？

您好，Sheng，

感谢您强调这一点，在第一个观点上，我错过了这一点，因此您的公式是正确的。

此致，

 斯特凡

非常感谢您的支持！  斯特凡！！