请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
部件号：TL431 您好，
我正在使用 TL431QDBZR 分流调节器和 NMOS 晶体管(NMOS 的排放引脚以启用电路)。
案例1 -使用 Vin=-5V 和电阻器分隔器 ckt b/w 参考引脚和阳极(R1 = 24.9K，R2 = 20K)，Vref =-2.227V，小于 int Vref = 2.495V。 NMOS 变低，通过上拉电阻器(即21V)将排卸拉高
案例2 -如果我使用具有-4V 电源的相同电阻器分压器电路，节点处的 Vref =-1.782V，这再次低于 int Vref，但 NMOS 被拉高，排卸被拉低至地电位。
案例3-但如果我将24.9K 值更改为34K 值，则 Vref 更改为-1.5V，NMOS 关闭，并通过上拉电阻器将漏极高。
我的问题是为什么 NMOS 在案例2中处于高位而在案例3中处于非高位，尽管案例3节点处的 Vref 高于 案例2？
谢谢
丹维尔
