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[参考译文] LM7400-Q1：LM7400-Q1和 lm74722-Q1

admin
Guru**** 1693050 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74700-Q1, LM7800
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1078449/lm74700-q1-lm74700-q1-and-lm74722-q1

部件号：LM74700-Q1
线程中讨论的其他部件： LM74720-Q1

大家好，团队

1. lm74700具有外部单 MOS，数据表的关闭电流为1uA (EN =低电平)，但当74700单 MOS 为外部时，即使关闭，输入也不会从74700外部 MOS 的主体中切换。 二极管是否泄漏？ 这一1uA 指标有点不可理解；

2.如果关闭电流被认为尽可能小，使用 lm74722是否更合适？

3.理想二极管控制器的输出电流是否仅取决于外部 MOSFET 选择的参数 ID，并且控制器芯片本身不需要？

4.在参数表中，有一个 I (门)峰值吸收汇电流值，该值的主要焦点是什么？

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    TI__Guru**** 1693050 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Amelie，

    请参阅以下我的回答：

    1. 1uA 断路电流是 LM74700-Q1 IC 电流。 这 不是负载电流，而是流出 LM7400-Q1 IC 接地针脚的电流。 请了解 LM74700-Q1仅驱动理想的二极管 FET，这不能阻止正向电流。 该 FET 能够阻止反向电流。
    2. 如果需要阻止正向电流，您可以考虑使用 LM7800－Q1或 LM74720－Q1。
    3. 是的，理想二极管控制器的负载电流容量取决于 FET RDS(on)及其电流容量。 唯一需要考虑的是，随着负载电流的增加， 使用的是较低的 RDS(on) FET。 较低 的 RDS (开)对应于检测反向电流并关闭 FET 所需的较高的-ve 电流(V(AC_REV)/RDS (开)。  
    4. 栅极吸收 电流峰值是来自栅极引脚的下拉电流，用于关闭 FET。 此参数决定当门被拉低时 FET 关闭的速度。