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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1077692/iso5452-is-there-any-concern-with-9v-desat-threshold-voltage
客户担心 ISO5452的低饱和阈值电压为9伏，因为他们担心短路电流可能会上升很多，直到电压达到9伏。 我认为，如果使用小型电容器来实现短电容器充电时间，应该是可以的。 请您帮助解决为什么我们为低氧阈值电压设计9V，以及如何解决它们的问题？ 谢谢你。
阿基
客户是否在驱动 SiC FET？
Desat 系统和9V 阈值最初设计用于 IGBT 保护 ，因为这是大多数设备上电流膝部的位置(它们离开饱和区域并进入线性)，尽管可以通过无源元件非常容易地调整检测阈值。
我不会选择低于~100pF 的消隐电容器，因为您会更多地依赖去饱和引脚的寄生盖和盖来充电，而您对消隐时间的估计将不会接近实际值。 如果他们需要更短的检测时间，我强烈建议他们使用更大的盖子(可能大约220pF)，而是使用外部电阻器增加充电电流(请参阅下面我的常见问题)
如果他们正在驾驶 IGBT，则在使用 Desat 系统时不应出现任何问题，因为它非常适合 IGBT。 如果他们正在驾驶 SiC，这是另一个故事，以下常见问题将非常重要，因为您需要短消隐时间(名义上为~100ns)和~5V 有效检测阈值。
实际上，我们在 e2e 上有几个常见问题解答，这些问题可以完美地解决客户关于如何调整 Desat 的问题，无论是对于 IGBT 还是 SIC，还有可下载的 PDF 文件，欢迎您与客户分享。
* 如何使用低饱和度增加充电电流
* 如何调整脱饱和阈值
如果您有任何问题，请告诉我，否则，您能否按绿色按钮将其标记为“已解决”？
最佳
迪米特里
季米特里，您好！
感谢您的详细指导。 客户使用了 IKW75N65EH5，他们认为仍需要降低脱饱和 阈值。
最佳脱饱和阈值因设备而异，可能需要对其进行调整。 一旦他们安装了去饱和二极管和串联电阻器，它将达到7V 的电压，具体取决于他们使用了多少个 HV 阻塞二极管(1或2)
如果他们不打算使用“增加充电电流方法”，他们可以使用 UCC217x 低饱和度阈值校准器来帮助指导设计，但请注意，其他页面将不起作用，因为设计值不同。
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