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[参考译文] TPS40200-HT：电感器前的信号

admin
Guru**** 1693050 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145, TPS40200-HT, TPS40200, LM25085, LM5085
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1080911/tps40200-ht-signal-before-inductor

部件号：TPS40200-HT
线程中讨论的其它部件：LM5145， TPS40200， LM25085， LM5085， 测试

您好，

我 在设计中使用 TPS40200HD，32-42V 输入，5V 输出。 工作正常，但温度高于我的预期，室温下为95F。 电感器前面的信号不是完美的矩形信号-请参见下图(探头1x10)。

这是正常行为，还是可以改进，例如在针脚6上添加电阻器以降低 MOSFET 电流？

  。   

谢谢，

马里乌斯·拉杜卡努

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    您好，玛丽亚斯，

    这看起来像是 DCM。 尝试增加负载电流以查看其是否进入 CCM 并在 SW 上显示矩形波形。

    就温度上升而言，这是一个非同步控制器，因此效率低于同步设备(如 LM5145)。 您还可以改进电感器-例如，查看 Coilcraft XGL6060系列。

    此致，

    蒂姆

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    您好，Timothy，

    感谢您的回答。

    32V 时电流为~35mA。 即使信号的形状有所改善，电流也会增加，这对我没有帮助-我不想增加功耗。 降低频率，增加占空比可能会在电感器形状之前改善信号。   

    LM5145的额定电压为150C，TPS40200-HT 的额定电压为210C -我至少需要175C。

    我预计大部分热量都在电感器和外部 MOSFET 上。 我认为 TPS40200上的热量是由内部 MOSFET 驱动器(200mA)产生的。 也许，减小此电流(添加电阻器)会降低热量。 我知道，MOSFET 驱动器电流的降低会缩短增加外部 MOSFET 热量的上升时间-我正在寻找折价产品。  

    此致，

    马里乌斯·拉杜卡努  

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    发送示意图，我将了解一下。 FET 和电感器可能是优化-您目前使用的是什么？ 如果 VIN-max 为42V，则需要60V p 通道 FET (不更高)。

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    您好，Timothy，

    这是原型板中使用的原理图。 我知道电感器很关键，我订购了几种测试类型。 最初的电感器为180uH，足够大，可以降低电感(回合数)，现在为90uH。

    谢谢，

    马里乌斯

     

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    好的，看看更好的电感器是否有帮助将会很有趣。 此外，还可以改进 FET。 D2PAK 设备通常是旧的有损设备--尝试使用低 Qg 的5 x 6mm 封装设备。

    此致，

    蒂姆

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    我选择了更大的 MOSFET 封装，认为它将有助于散热-系统额定功率为175C。 在实际电路板上，77F  室温下的 MOSFET 温度为87F，电感器85F，TPS40200-HT 89F -可能这还不错。 最令 我担心 的是，将手指放在 TPS40200-HT 上，温度以~10秒的速度升高到足以被认为是热的程度，这可能是因为 手指放在转换器上时没有释放热量。  

    我会尝试其他电感器并告诉你。

    此致，

    马里乌斯

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    MOSFET 和电感器是主要的散热源，可能正在加热邻近的控制器。 控制器功耗主要是栅极驱动器损耗(=Qg*FSW*Vcc)，它独立于串联栅极电阻器。

    下面是 FET 数据表： NP50P06KDG DS (renesas.com)

    Vgs =-10V 时，95nC 的栅电荷非常大，我建议找到 Qg 更低的 FET。 此外，26nC 时的 Qgd 太高。 了解一下在 LM5085 / LM25085数据表和 EVM 中使用 p 通道 FET 作为潜在候选项的情况。

    此致，

    蒂姆

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    TI__Guru**** 1693050 points
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     LM5085中推荐的 Si7465具有 Qg 26nC。 最大的制约因素是最高工作温度150C -我需要175C。

    我会订购并测试一些 MOSFET。

    此致，

    马里乌斯

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    查找汽车 MOSFET，因为它们的额定功率通常为175。

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    找到：IRF9Z14PBF， AOD407， NTBV5605T4G， SPD18P06PGBTMA1 (最后3个测试很容易，其原始占地面积/封装相同)。

    此致，

    马里乌斯

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    TI__Guru**** 1693050 points
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    玛丽乌斯听起来不错。 考虑到占空比，您不需要低 RDSon。

    此致，

    蒂姆