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[参考译文] CSD19536KTT:Tida 010030

Guru**** 633805 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1081365/csd19536ktt-tida-010030

部件号:CSD19536KTT

为什么将 Q30 272安培用于30A BMS 设计? C68和 C69的用途是什么?

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    您好 Rajib,

    感谢您对 TI FET 的关注。 数据表中公布的最大连续电流是一个计算量,假设 Tcase = 25°C,Tj = Tjmax = 175°C 有关详细信息,请参阅下面的博客链接,该博客解释了 TI 数据表中的最大持续电流规格。

    保持 Tcase = 25°C 需要一个“无限”散热器来散热热量。 在实际应用中,通过 FET 的电流受最大功耗的限制,最大功耗保持 Tj < Tjmax (+边界)。 此参考设计使用3个并行设备来实现充电/放电 FET,以减少传导(I2R)损耗,并将热量散布到更大的表面区域的多个封装中,以冷却 FET。 对于3个传导30A (每个10A)的并行 FET,Tj = 150°C 时的 I2R 损耗为每个 FET 0.5W。 D2PAK 的最大功耗大约为4W,具体取决于 PCB 和环境条件。

    CSD19536KTT 是 D2PAK 中电阻最低/成本最高的100V FET。 根据您的需求,我们可能会在相同或更小(5x6mm SON)封装中提供更经济实惠的 FET。 第二个链路是连接到负载开关应用的 TI FET 选择器。 只需记住将电流除以并行 FET 的数量。

    我将把这件事转交给 BMS 应用团队,以回答您关于电容器的问题。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3

    https://www.ti.com/tool/LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC

    此致,

    约翰·华莱士

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    您好,Rajib,

    电容器用于 ESD 保护。 本应用报告解释了 BAT +和 Pack +之间的瓶盖使用情况,更多信息请访问 :https://www.ti.com/lit/an/slua368/slua368.pdf 

    许多系统使用2个电容器作为冗余,以防一个电容器短路,另一个电容器将阻止 BAT+和 Pack+短路。

    此致,

    马特